回顾美光NAND发展演进历程

专题：美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术

NAND市场从来就是一片红海，而在这市场中，不乏有各路新晋者前来淘金，美光就是这么一家曾经的淘金者。21世纪初，美光的Gurtej Singh Sandhu 率先采用了pitch double patterning技术，从而推动了 30 nm NAND 闪存的发展，此后被全球 NAND Flash和 RAM存储器制造商广泛采用。

而现在经过20年的发展，美光从0起步，变成全球前五大的NAND供应商，并且成为市场上首家推出176层NAND的供应商，背后的原因有哪些？日前EEWORLD连线美光，从公司的历史以及对未来的畅享，看NAND市场的创新。

1. 美光最早并不关注NAND市场，是何种原因开始决定进入NAND市场，现在来看这个决定是否正确，为什么？

美光：的确，最初美光并不是 NAND 供应商，那时我们只生产DRAM和NOR。随着 21 世纪初 NAND 市场的增长，我们进入了这个市场。由于 NAND 已经显示出可以通过叠加层数来降低成本的能力，因此进入这一市场是一个极佳的决定。我们能够利用我们的制造和工艺的专长进入NAND市场，并最终脱颖而出，成为 NAND 技术的全球领导者之一。

2.近些年来存储市场跌宕起伏，美光的故事也有很多，包括尔必达、与英特尔的分合，但始终不变的是美光持续对NAND技术与产能的投入。请您盘点下美光在十几年时间中，在NAND技术及市场上的创举及影响。

美光：

2012 年，美光首家量产采用hi-k金属栅极技术的NAND。

2015 年，美光率先推出CMOS阵列下架构。

2020年 第四季度，美光推出业界首款176 层 NAND，是当时层数最多的NAND。

3. 请介绍一下美光在3D NAND领域的技术演进轨迹？当初我们都经历了哪些困难的抉择，又是如何克服的？

美光：美光在开发 3D NAND 时面临着两个艰难选择。第一个是当我们第一次开发 3D NAND 时，必须在CMOS阵列下架构和电荷捕获架构之间做出选择。行业里的其他公司先是选择了电荷捕获架构，后来又添加了 CMOS阵列下技术。曾经我们决定使用具有 CMOS阵列下的浮栅架构，器件具备了一些初始优势，但我们知道最终仍需要转换为电荷捕获和替换栅极架构。所以第二个困难的选择是何时进行转换。这两个决定的做出都很艰难，我们在分析了各种场景的成本和收益后才做出了决定。

4、在摩尔定律放缓的今天，计算市场正在通过异构计算、高级封装等方式延续着算力的增长，对于NAND市场来说，3D只是其中唯一的选择么？如果还有别的，那将是什么？

美光：NAND 仍将会延续 3D架构，但也会拥抱例如先进封装这样的互补的技术创新，从而生产出可以支持异构计算及技术革新道路上其他趋势的NAND。

5.和计算产业相比，存储产业的初创者会少很多，这是否意味着该产业的创新会相对较少？如若不是，那么如何才能更好地激发存储产业的创新？

美光：目前尚不清楚存储行业的初创公司是否较少。与过去相比，开发存储半导体技术的小公司可能少了，这也许可以归因于半导体研发和制造成本过高。尽管在存储芯片上进行创新的公司数量有限，但在存储解决方案方面仍有大量的创新和投资涌入。在美光，我们致力于创新，以满足人工智能、5G、云和边缘等新技术不断变化的需求。我们的 DRAM 和 NAND 产品组合亦是如此。我们将继续突破技术界限并持续进行创新，使我们的内存和存储解决方案尽可能地更加有效且高效，以满足不断增长的广泛客户及应用领域。