三星电子：计划在HBM4世代为客户开发多样化定制HBM内存

7 月 10 日消息，综合韩媒 The Elec 和 ZDNET Korea 报道，三星电子在昨日举行的三星晶圆代工论坛 & SAFE 论坛 2024 韩国首尔场上表示，定制 HBM 预计在 HBM4 世代成为现实。

三星电子存储部门新事业企划组组长 Choi Jang-seok 称：“我们看到 HBM 架构正在发生巨大变化。我们的许多客户正在从传统的通用 HBM 转向定制产品。”

他补充道：“定制 HBM 将在 PPA（IT之家注：性能 Performance、功耗 Power 和面积 Area）方面提供与标准产品不同的选择，带来显著价值”。

Choi Jang-seok 具体介绍了两种可能的定制 HBM 形式：

不使用现有 2.5D 封装方案中必需的中介层 (Interposer) 和基础裸晶 (Base Die)，直接将 HBM 芯片 3D 集成在计算 SoC 上，可简化从计算芯片到 HBM 的数据路径，降低芯片功耗和占地面积，这类似于之前展示过的 SAINT-D；

▲ 现有 HBM 内存封装集成形式，数据流需通过中介层

将内存的 I/O 接口和控制器转移到 HBM 内存的 Base Die 上，为计算芯片留出更多用于逻辑电路的空间。

Choi Jang-seok 还提到三星电子正在开发单堆栈达 48GB 的大容量 HBM4 内存，预计明年投产。