一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路
2007-02-07 来源:电子技术应用
不间断电源(Uninterrupted Power Supply,简称UPS)是一种稳频、稳压、纯净、不间断的高质量电源,随着电子和电器设备对电网质量要求的不断增高,它已经成为许多重要场合必备的辅助电源。
1 逆变电路及其控制
正弦脉宽调制(SPWM)技术在逆变器的控制中得到了广泛应用,正弦脉宽调制方式很多,在此不一一描述。本电路采用的是倍频式的调制方式,下面简单加以介绍。
全桥逆变电路的基本结构如图1所示。在倍频式调制方式中,四个开关管的门极脉冲信号Vg1~Vg4的产生方法如图2所示。四个开关管门极脉冲信号Vg1~Vg4与两桥臂中点A、B间电压VAB的波形也如图2所示。
由图2可以看出,在倍频式调制方式中,A、B间电压频率是开关管工作频率的两倍,这种调制方式的好处在于在不增加开关管工作频率的情况下,可以减小逆变器输出滤波器的尺寸。它的缺点在于四个门极脉冲信号各不相同,提高了控制电路和脉冲发生电路的复杂性。本文提及的逆变电路开关管门极SPWM信号是由数字信号处理器(DSP)产生的,对于数字控制电路而言,倍频式调制方式所带来的电路复杂性可以忽略。
该电路采用IGBT作为功率开关管。由于IGBT寄生电容和线路寄生电感的存在,同一桥臂的开关管在开关工作时相互会产生干扰,这种干扰主要体现在开关管门极上。以上管开通对下管门极产生的干扰为例,实际驱动电路及其等效电路如图3所示。
实际电路中,虚线框部分是IR2110的输出推挽电路,RS、RP分别是T2门极串、并联电阻,Zg是门极限幅稳压管。当上管T1开通时,下管T2门极信号必然为低电平,即M2导通,M2两端可等效为一个电阻RM,这个电阻与RS、RP一起等效为电阻Rg。
Rg=(RM+RS)//RP≈RS(RM < S < P)
Zg两端相当于开路。电容Cge和Cgc都是T2的寄生电容。电感L是功率电路线路的等效寄生电感,Lg是驱动电路的线路电感。
在T1开通前,由于互补门极信号死区的存在,T1、T2均处于关断状态,桥臂中点电压是高压母线电压VBUS的一半。当T1开通时,中点电压立刻上升,很高的dv/dt使L和T2的寄生电容发生振荡,由于Lg和Rg的存在且Cge的阻抗也并不足够低,在T2门极会产生一个电压尖刺。这个电压尖刺幅值随母线电压VBUS和负载电流的增大而增大,可能达到足以导致T2瞬间误导通的幅值,这时桥臂就会形成直通,造成电路烧毁。同样地,当T2开通时,T1的门极也会有电压尖刺产生。
通过减小RS和改善电路布线可以使这个电压尖刺有所降低,但均不能达到可靠防止桥臂直通的要求。
2 门极关断箝位电路
针对前面的分析,本文将提出一种门极关断箝位电路,通过在开关管驱动电路中附加这种电路,可以有效地降低上述门极尖刺。带有门极关断箝位电路的驱动电路如图4所示。
门极关断箝位电路由 MOSFET 管MC1和MC2、MC1门极下拉电阻RC1和MC2门极上拉电阻RC2组成。实际上该电路是由 MOSFET 构成的两级反相器。当MC1门极为高电平时,MC1导通,MC2因门极为低电平而关断,不影响功率开关管的正常导通;当MC1门极为低电平时,MC1关断,MC2因门极为高电平而饱和导通,从而在功率开关管的门极形成了一个极低阻抗的通路,将功率开关管的门极电压箝位在0V,基本上消除了上文中提到的电压尖刺。
在使用这个电路时,要注意使MC2 D、S与功率开关管G、E间的连线尽量短,以最大限度地降低功率开关管门极寄生电感和电阻。在电路板的排布上,MC2要尽量靠近功率开关管,而MC1、RC1和RC2却不必太靠近MC2,这样既可以发挥该电路的作用,也不至于给电路板的排布带来很大困难。
用双极型晶体管(如8050)同样可以实现上述电路的功能。双极型晶体管是电流型驱动,其基极必须要串联电阻。为了加速其关断,同时防止其本身受到干扰,基极同样需要并联下拉电阻,这样就使电路更加复杂。同时,要维持双极型晶体管饱和导通,其基极就必须从电源抽取电流,在通常的应用场合这并无太大影响,但在自举驱动并且是SPWM的应用场合,这些抽流会大大加重自举电容的负担,容易使自举电容上的电压过低而影响电路的正常工作。因此选用MOSFET来构成上述门极关断箝位电路。
图5是在没有门极关断箝位电路的情况下,直流母线电压为100V时T2门极信号的波形。可以看到在门极有一个电压尖刺,这个尖刺与门极脉冲的时间间隔刚好等于死区时间,由此可以证明它是在同一桥臂另一开关管开通时产生的。
图6是在有门极关断箝位电路的情况下,直流母线电压为400V时T2门极信号的波形。此时电压尖刺基本消除。
通过实验验证,该电路确实可以抑制和消除干扰,有一定的使用价值,可以提高电路的可靠性。
参考文献
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5 林渭勋.电力电子技术基础.北京:机械工业出版社,1990.10
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