瑞萨48/12双向DC/DC转换器选择GaN Systems的功率管

GaN Systems日前宣布，瑞萨电子公司的新型汽车 48V/12V 双向 DC/DC 转换器选择了其GaN（氮化镓）功率晶体管，从而显着提高了功率密度。新转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P，一种 100V 增强模式 GaN-on-silicon 功率晶体管，可将系统尺寸缩小 46%。

瑞萨解决方案针对需要高效 48V/12V DC/DC 转换器的 48V 轻度混合动力汽车和电动摩托车。 GaN 允许以高效率实现高开关频率——这意味着更小的磁性元件和更小的尺寸。与使用 Si-MOSFET 相比，GaN Systems 的 GaN HEMT 可将 PCB 面积缩小 50%。

新转换器的优势包括：

通过利用 GaN Systems 晶体管的出色开关能力，PCB 面积减少了 46%，从而实现了具有 500kHz 高开关频率的高效电源转换器。这允许使用非常小的 1.3µH 电感器，以显着减小尺寸和重量。

在广泛的负载范围内具有高效率。 GaN 与自动相位下降功能相结合，即使在低负载下也能实现高效的功率转换，在 400W 至 3kW 的宽负载范围内功率效率超过 94%。

ISL78226 PWM 控制器无需复杂的 DC/DC 转换器控制软件开发。

半桥驱动器 ISL78420/444 提供了一种简单且具有成本效益的驱动 GaN 晶体管的方法。

GaN 首席执行官 Jim Witham 表示：“汽车客户一直在寻求功率密度和成本方面的改进，而这种设计再次反映了 GaN 在更小、更高效和更具成本效益的设计中可以显着提高功率密度。该设计来自瑞萨电子这一事实意义重大，因为他们是汽车半导体解决方案的市场领导者，在了解行业需求方面享有盛誉。这是将 GaN 技术的优势带给该客户群的重要一步。”

虽然 GaN 在消费电子等行业具有重要的吸引力，但 GaN 正在成为混合动力和电动汽车中功率转换和电池充电的首选技术。 GaN 以非常低的成本提供比硅和碳化硅更高的性能，从而可以经济高效地减轻各种电动汽车的重量并提高效率。