比亚迪半导体将发布新一代高性能IGBT

2018年比亚迪半导体在宁波发布了IGBT4.0芯片，树立了国内车规级中高端IGBT芯片标杆。

历时两年积累沉淀，比亚迪半导体即将在西安新研发中心发布更高性能的IGBT6.0。西安高新区已经汇聚了华为、浪潮、三星等一大批知名企业，随着西安研发中心大楼的落成，也标志着比亚迪半导体正式入驻中国“西部硅谷”。

2008年比亚迪1.7亿元收购了宁波中纬。中纬账面上最有价值的东西是源自台积电淘汰的一条8英寸晶圆线，但这笔收购给还给比亚迪带来了晶圆车间、技术团队等资源。当时长三角地区是中国半导体制造的重要基地。彼时这些资源在中国大陆是非常稀缺的。

但这并不是比亚迪第一次进入半导体行业，早在2002年比亚迪微电子就开始从事集成电路设计，已经开发出涵盖电源管理芯片、CMOS图像传感器、液晶驱动和触摸控制芯片等诸多产品。

2018年，IGBT4.0芯片，更大的电流通过能力、更低的能耗、更长的高温寿命，这些是当年全新一代唐能做到百公里加速时间4.5S，百公里电耗仅17.9kwh的保障。

2019年，得益于更低能耗，更高热导率的SiC芯片的装车，比亚迪汉的峰值扭矩达到了350N.M，峰值功率达到200KW，成就了汉的出色的产品力。

这次即将发布的IGBT6.0，将有比同类产品更高的可靠性，和产品性能上的重大突破。即将在创业板的上市，也将助力比亚迪半导体的飞速发展。