三星本周将向美国总统拜登展示其下一代3纳米芯片技术

      据报道，三星本周将向美国总统拜登展示其下一代3纳米芯片技术，这种3纳米GAA工艺有望很快开始量产。美国总统拜登将在本周向访问三星平泽园区。

　　三星可能旨在说服拜登，让美国公司向其3纳米GAA工艺下订单。据报道，美国总统拜登将抵达首尔进行为期三天的访问，据韩联社报道，这次访问将包括参观三星的平泽工厂，该工厂也是世界上最大的芯片代工工厂，位于首尔以南约70公里处。除拜登外，据说三星副董事长李在镕也将陪同他参观，以展示下一代大规模生产过程。

　　几个月来，据报道，三星将开始大规模生产其3纳米Gate-All-Around（GAA）技术，超过其4纳米节点，该节点用于大规模生产高通的骁龙8代。 三星将向拜登展示一款3纳米的芯片，以强调其代工能力超过台湾的台积电。

　　与三星的5纳米工艺相比，3纳米GAA的优势是巨大的，该公司表示，它可以使尺寸减少多达35%，同时提供30%的性能和50%的功率节省。这种3纳米GAA工艺很可能是为了对付台积电的3纳米节点，长期以来，这家台湾制造商一直是全球代工市场上的主导厂商。

　　根据TrendForce提出的统计数据，台积电在2021年第四季度占据了全球代工市场的52.1%，而排在第二位的三星在同一时期仅有18.3%的市场份额，严重落后。此前的一份报告提到，这家韩国制造商在其3纳米GAA工艺上陷入困境，因为据说良品率比其4纳米技术更差。

　　如果三星无法提高这些良率，同时也无法证明其3纳米GAA工艺可以与台积电的3纳米晶圆相媲美，它可能无法获得高通等公司的订单。预计三星将很快让其先进的芯片技术大规模投产，因此我们将看到它在与台积电的竞争中的表现。