发布时间：2024-11-04

在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测， 2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元 。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。 2020...

发布时间：2024-02-22

2 月 22 日消息，存储网络行业协会（SNIA）多位专家近日预估，21 世纪 20 年代末将会掀起持久内存（PMEM）变革浪潮，相信新技术将取代 DRAM 等成熟的存储技术。 IT之家注：持久内存作为一个内存和外存的混合体，其高速持久化的特性在某些磁盘 IO 作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。 SNIA 的 Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Ji...

发布时间：2024-01-05

加贺富仪艾电子旗下的代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司的FeRAM以其卓越的非易失性存储性能而闻名，是满足汽车事件数据记录器（EDR）严格技术要求的最佳选择。 事件数据记录器 (EDR) 事件数据记录器（EDR）的关键功能是在事故发生时记录重要的车辆数据。EDR与传统的捕捉录像行车记录仪不同，它主要记录车辆控制的关键信息，包括油门踏板压力、制动踏板接合等细节，为全...

发布时间：2023-01-09

瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场 存储器是现代信息系统最关键的组件之一，在当前物联网与人工智能联合推动下的数据爆发时代，存储器行业的“加速键”随之开启。据YOLE统计，自2019年以来，存储器成为半导体增速最快的细分行业，总体市场空间从2019年的1110亿美元将增长至2025年的1850亿美元。细分市场中，以F...

发布时间：2017-11-22

＜概要＞ ROHM集团旗下蓝碧石半导体面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等，开发出1Mbit铁电存储器（以下简称“FeRAM”注1）“MR45V100A / MR44V100A”，并即将于2017年12月开始量产销售。 “MR45V100A”作为SPI注2总线产品，在1.8V～3.6V的宽电源电压范围内均实现4...

发布时间：2012-04-03

本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的...

发布时间：2010-06-25

　　今天最有前途的下一代NVM(非易失性存储器)技术是FeRAM(利用铁电材料的永久极化特性)、MRAM(利用磁性隧道结的电阻变化来指示存储状态)以及PCM(基于硫系合金的电热诱导相变转换)，三者采用不同的材料、不同的状态存储机制和不同的感应技术。 　　其中，FeRAM和MRAM是低存储密度的NV SRAM，主要面向对存储密度要求不大的应用市场。FeRAM已出现很多年了，M...

发布时间：2010-02-24

　　在半导体电路技术国际会议“ISSCC 2010”的Session14“Non-Volatile Memory”上，MRAM、PCM以及FeRAM等非易失性内存的发布齐聚一堂。今年技术发布的看点是（1）意图取代NAND闪存的电阻变化型内存首次在ISSCC上亮相，（2）此前被称为新型内存的MRAM、PCM和FeRAM的开发正稳步前进。 　　首先，关于电阻变换型内存（ReRA...

发布时间：2009-02-13

东芝开发出了数据传输速度达1.6GB/秒的128Mbit高速强介电体内存（FeRAM）。配备有高速DRAM标准——DDR2接口。东芝表示，“128Mbit是业界内非易失性RAM的最大容量。与原来最高速度的非易失性内存相比，此次实现的1.6GB/秒数据传输速度高达其8倍左右”。具体而言，配备了每个端子的最高数据传输速度为800Mbit/秒的16bit（×16bit构成）输...

发布时间：2009-02-12

在半导体电路技术国际会议“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”开幕前夕的09年2月8日（星期日），主办方就4项技术分别举行了研讨会。这四个研讨会分别为汇集了以SSD为中心的内存子系统相关主题的“SSD Memory Subsystem Innovation”（F1）、致力...