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MAX1879充电器，前级MP2307恒流 可能存在bug 可能存在bug 可能存在bug

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IRF9Z24NS 场效应管(MOSFET) 点击下载
WST3400 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道.30V.7A.18mΩ.功能与脚位等同AO3400A 点击下载
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MLC106033R0V12A0 静电放电(ESD)保护器件 点击下载
AO4606 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A,6.5A 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N+P双沟道,30V/6A(-30V/-6.5A) 点击下载
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