富昌电子于杭州举办技术日活动，聚焦新能源“芯”机遇 发布时间：2024-11-21 富昌电子于 11 月 20 日在杭州举办富昌技术日活动，汇聚半导体供应商和行业专家，通过演讲、演示和互动讨论，共同探讨汽车电子、新能源 消息称铠侠最快明天获上市批准，市值有望达 7500 亿日元 发布时间：2024-11-21 11 月 21 日消息，路透社报道称，在贝恩资本的支持下，铠侠将于当地时间周五（11 月 22 日）获东京证券交易所上市批准。根据其 IPO 美国政府敲定对格芯 15 亿美元《CHIPS》法案补贴，支持后者提升在美产能 发布时间：2024-11-21 11 月 21 日消息，美国商务部当地时间昨日正式宣布将向格芯 GlobalFoundries 提供合计 15 亿美元（当前约 108 71 亿元人民币）的 SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货 发布时间：2024-11-21 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特，与 TB 太字节不同）TLC（Triple Level Cell）4D 三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备 发布时间：2024-11-20 11 月 20 日消息，三星电子韩国当地时间本月 18 日举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一 2022 芯片大混战将启：高通、联发科涉足笔记本，AMD 被曝入局手机 发布时间：2024-11-20 11 月 20 日消息，Smartphone Magazine 于 11 月 18 日发布博文，报道称 AMD 正将目光转向移动行业，计划推出类似 APU 的 Ry Exynos 2600 芯片成关键，消息称三星将打响 2nm 芯片反击战 发布时间：2024-11-20 11 月 20 日消息，供应链媒体 DigiTimes 昨日（11 月 19 日）发布博文，报道称 3nm 工艺上遇到的困境，并没有击垮三星，反而让三 曾称华为不可能追上！台积电制程遥遥领先，2nm未量产已招大客户抢单 发布时间：2024-11-20 11月20日消息，据国外媒体报道称，在更先进制程芯片代工上，台积电现在遥遥领先，也难怪他们会喊出华为永远追不上我们的言乱（台积电董事长 Allegro MicroSystems 在 2024 年德国慕尼黑电子展上推出先进的磁性和电感式位置感测解决方案 发布时间：2024-11-15 美国新罕布什尔州曼彻斯特 - 运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems （以下简称Allegro 越南芯片封测业务增长 供给侧碎片化正在分裂市场 发布时间：2024-11-15 报道称，韩国Hana Micron公司近期披露，该司将在2026年前向越南投资1 3万亿韩元（约合人民币66 95亿元）以扩大传统内存芯片的封装业务。美 美方要求台积电限制出口高端芯片，商务部回应 发布时间：2024-11-15 在商务部例行新闻发布会上，针对美国商务部致函台积电，对运往中国的某些用于人工智能加速器和图形处理单元的7纳米或更先进设计的复杂芯片 ASML预测2030年收入可超4570亿元！毛利率56-60％ 发布时间：2024-11-15 11月15日消息，ASML在近日举办的2024年投资者日会议上，更新了长期战略以及全球市场和技术趋势分析，确认其到2030年的年收入将达到约440亿 ASML在2024 年投资者日会议上就市场机遇提供最新看法 发布时间：2024-11-14 有望在2030年内实现营收和盈利的显著增长荷兰菲尔德霍芬，2024年11月14日——在今日举办的2024 年投资者日会议上，ASML将更新其长期战略以 消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙 发布时间：2024-11-14 11 月 14 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding） 英特尔中国正式发布2023-2024企业社会责任报告 发布时间：2024-11-13 近日，英特尔发布《2023-2024英特尔中国企业社会责任报告》，展示其在履责、包容、可持续、赋能的“RISE”战略和2030目标指引下，在中国积 贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书 发布时间：2024-11-13 探讨电子设计中的电源效率与稳健性2024年11月13日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子(Mouser Electronics) AMD 推出第二代 Versal Premium 系列：FPGA 行业首发支持 CXL 3.1 和 PCIe Gen 6 发布时间：2024-11-13 科技媒体 techpowerup 昨日（11 月 12 日）发布博文，报道称 AMD 宣布第二代 Versal Premium 系列自适应 SoC 平台，将成为 FP SEMI：2024Q3 全球硅晶圆出货面积同比增长 6.8%、环比增长 5.9% 发布时间：2024-11-13 11 月 13 日消息，半导体行业协会 SEMI 旗下 SMG 美国加州当地时间昨日发布了新一期的硅晶圆季度分析报告。该报告显示今年三季度全 台积电5nm和3nm供应达到"100%利用率" 显示其对市场的主导地位 发布时间：2024-11-13 台积电的 5nm 和 3nm 工艺是该公司在市场上"最热门"的产品之一，据报道，这家台湾巨头的利用率达到了 100%。众所周知，台积电是迄今为 英飞凌2024财年第四季度营收和利润均有增长； 2025财年市场疲软，预期有所降低 发布时间：2024-11-12 英飞凌2024财年第四季度营收和利润均有增长；2025财年市场疲软，预期有所降低2024财年第四季度：营收为39 19亿欧元，利润达8 32亿欧元，利 加载更多
LG Display 成功开发出全球首款可扩展 50% 的可拉伸显示屏 发布时间：2024-11-13 LG Display 推出全球首款可伸缩显示屏，其伸缩率高达 50%，是目前业内伸缩率最高的显示屏。 11 月 8 日在首尔 LG 科技园，该公司 全新纳米级3D晶体管面世 发布时间：2024-11-07 美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其性能和功能可比肩甚至超越 可吸收多频段电磁波超薄膜研制成功 发布时间：2024-10-31 最新电磁波吸收和屏蔽材料概念图。图片来源：韩国材料科学研究所韩国材料科学研究所科学家研制出一款复合材料超薄膜。这款材料能够吸收99% 全3D打印技术+可降解功能，无需半导体材料的电子器件问世 发布时间：2024-10-23 美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展：他们利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。这一突破性研 超强高压极化电子枪问世 可将电子从零加速到光速的百分之八十 发布时间：2024-10-14 据美国科学促进会10日消息，美国能源部布鲁克海文国家实验室的科学家设计并测试了世界上电压最高的极化电子枪，这是建造世界上第一台全极化 软质电活性材料像电池一样储能 发布时间：2024-10-11 10月9日发表在《自然》杂志上的一篇论文称，美国西北大学材料科学家利用肽和塑料中大分子的片段，开发出一种由微小、灵活的纳米级丝带组成 全球首个真空噪声芯片发布 发布时间：2024-09-24 近日，北京经济技术开发区（北京亦庄）企业北京中科国光量子科技有限公司（以下简称“国光量子”）成功推出全球首个能够有效对抗电源纹波攻 英国科学家研制出超薄二维表面材料，有望增强 6G 卫星通信能力 发布时间：2024-09-18 9 月 18 日消息，超材料具有同类天然材料不具备的特性。英国格拉斯哥大学研究人员现开发出了一种新型、廉价、易于制造的超薄二维（2D） 室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路 发布时间：2024-08-16 据15日《科学》杂志报道，包括美国北卡罗来纳州立大学和韩国浦项科技大学在内的国际研究团队，展示了一种在室温下打印金属氧化物薄膜的技术 清华“太极-Ⅱ”光芯片面世：成果登 Nature，首创全前向智能光计算训练架构 发布时间：2024-08-08 8 月 8 日消息，据清华大学官方消息，清华大学电子工程系方璐教授课题组、自动化系戴琼海院士课题组另辟蹊径，首创了全前向智能光计算训 三星电子宣布量产业界最薄LPDDR5X内存封装，较上代厚度减少约9% 发布时间：2024-08-06 8 月 6 日消息，三星电子今日宣布启动业界最薄的 LPDDR5X 内存封装量产。该新产品封装高度为 0 65mm，较上代产品的 0 71mm 降低约 是德科技PCIe建模和仿真设计工具 发布时间：2024-07-25 是德科技公司(Keysight Technologies)推出了 PCIe 系统设计工具，这是先进设计系统(ADS) 产品套件中的一款新产品，它支持基于高速高频 我国科学家研发出新型高性能聚合物热电材料 发布时间：2024-07-25 高性能聚合物热电材料研究取得新进展。记者25日从中国科学院化学研究所获悉，来自该所等单位的科研人员研发出新型高性能聚合物热电材料—— Avnet Silica提供针对台积电4nm的低功耗芯片设计服务 发布时间：2024-07-23 Avnet Silica 旗下部门 Avnet ASIC 针对台积电尖端 4nm 及以下工艺技术推出了全新超低功耗设计服务。这些服务旨在帮助客户在区块链 三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅电容 发布时间：2024-07-17 7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。注：硅电容（Silicon 台积电被曝组建专家团队开发FOPLP半导体面板级封装 发布时间：2024-07-16 7 月 16 日消息，MoneyDJ 昨日（7 月 15 日）报道称，台积电已组建专门团队，出院探索扇出型面板级封装（FOPLP）全新封装方案，并规 28nm JESD204B Tx PHY 和控制器 IP 核增强高速数据传输功能 发布时间：2024-06-25 2024 年 5 月 20 日——全球独立半导体 IP 核提供商和技术专家 T2MIP 宣布其合作伙伴经过生产验证的 JESD204B PHY 和控制器 I TE Connectivity携一站式能源解决方案亮相第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)展览 发布时间：2024-06-13 助造可再生能源领域连接新质力，推动光伏储能产业高质量发展中国，上海，2024年6月13日 – 第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源(上海 灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电 发布时间：2024-05-20 新方法是将导电塑料浸入特殊的盐溶液（一种光催化剂）中，然后用光照射它一小段时间，形成p掺杂导电塑料，其中唯一消耗的物质是空气中的氧 高精度半导体和压电材料结合，新型声学材料让无线设备更小更高效 发布时间：2024-05-13 研究人员使用多个微波频率表征在硅晶片上构建的非线性声子混合装置。 图片来源：桑迪亚国家实验室据最新一期《自然·材料》杂志报道，美国 加载更多
质子介导法为下一代内存设备和神经形态计算芯片提供动力 发布时间：2023-07-21 由阿卜杜拉国王科技大学领导的研究人员发现了一种质子介导的方法，这种方法可以诱导铁电材料中的多个相变，从而有可能促进高性能、低功耗存 物理学家在有记录的最低压力条件下实现室温超导 发布时间：2022-08-05 不到两年前，科学界被一种能实现室温超导的材料的发现所震惊。现在，内华达大学拉斯维加斯分校(UNLV)的一个物理学家团队通过在有记录的最低 向声学集成电路迈出关键一步，声波首次在芯片上实现控制与调制 发布时间：2022-06-30 一块可以控制和调制声波的芯片。图片来源：：邵林博 哈佛大学美国哈佛大学科学家在最新一期《自然·电子学》杂志上撰文指出，他们首次展示 QFN封装 发布时间：2022-12-01 QFN(Quad Flat No-leads Package，方形扁平无引脚封装)，表面贴装型封装之一。值得注意的是，QFN封装与LCC封装完全不同，LCC仍有外延引 解决芯片发热问题的新方法 发布时间：2021-10-12 众所周知，将晶体管紧密地封装在一起会引起设备过热的问题。但现在，科学家们已经开发出一种人造材料，它是有史以来最好的一种材料，可以在 ST 和Exagan开启GaN发展新篇章 发布时间：2021-09-07 氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3 4 eV，电子迁移率为1,700 cm2 Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1 1 eV和1,4 揭秘半导体制造全流程（下篇） 发布时间：2021-08-02 我们已经从前两篇的文章中了解了半导体制造的前几大步骤，包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀和薄膜沉积。在今天的推文中，我们将继续介绍最后 揭秘半导体制造全流程（中篇） 发布时间：2021-07-26 在《揭秘半导体制造全流程（上篇）》 中，我们给大家介绍了晶圆加工、氧化和光刻三大步骤。本期，我们将继续探索半导体制造过程中的两大关 哈工大科研团队揭秘：天问一号的五星红旗在火星如何展开 发布时间：2021-06-16 “中国印迹”图新华社发 6月11日，国家航天局举行天问一号探测器着陆火星首批科学影像图揭幕仪式，公布了由“祝融号”火星车拍摄的着陆 干货 | 资深工程师总结10种复杂电路分析方法 发布时间：2021-06-10 电路问题计算的先决条件是正确识别电路，搞清楚各部分之间的连接关系。对较复杂的电路应先将原电路简化为等效电路，以便分析和计算。识别电 如何将FPGA设计快速转成ASIC？DARPA有新动作 发布时间：2021-04-22 上个月，DARPA对外公布了一项名为SAHARA（Structured Array Hardware for Automatically Realized Applications ）的项目。按照DARP 用于检测裸硅圆片上少量金属污染物的互补性测量技术 发布时间：2021-02-07 本文作者：意法半导体Lamoureux Violette，violette lamoureux@st comFigarols François，francois figarols@st comPic Nicolas，nicol 如何选择合适的处理器内核 发布时间：2020-12-01 处理器内核越复杂，面积和功耗就越大。但是，随着处理器处理数据的方式变得更加复杂，复杂性并不是一个单一的衡量维度。在选择处理器IP内核 IGBT的国产替代之路还有多远 发布时间：2020-11-28 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器 如何利用智能制造提高半导体工厂效率 发布时间：2020-10-29 本文编译自embedded-computing半导体制造设施不同于其他任何工厂。他们可以有数十亿美元的投资，用于生产人类有史以来一些最小的商用产品。 先进封装和电路板的可靠性挑战 发布时间：2020-04-09 翻译自——Semiwiki今天的市场需求越来越苛刻复杂的电子设备和(辅助)系统在飞机、火车、卡车、乘用车以及建筑基础设施、制造设备、医疗系统 晶圆 VS 封测 发布时间：2020-04-05 市场空间对比：根据国际知名资讯机构Yole的数据显示，2019年CIS市场160－170亿美元，预计到2022年会接近230亿美元。CIS封装占比20％，对 强势助攻抗疫战！芯旺微ChipON 32位MCU被应用于医疗电子设备 发布时间：2020-02-28 在本次全民抗疫大战中，相信大家都感受到了科技的力量。凭借科学仪器的高效、精准的检测，快速识别患者并做出及时有效的隔离，最大限度阻 如何轻松稳定带感性开环输出阻抗的运算放大器 发布时间：2020-02-26 简介一些运算放大器（运放）具有感性开环输出阻抗，稳定这一类运放可能比阻性输出阻抗的运算放大器更为复杂。最常用的技术之一是使用“断开 技术文章— 关于MOS管失效的六大原因分析 发布时间：2019-07-10 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的sour 加载更多
