[原创] NXP Rapid IoT评测】+4.学习POWER电路的设计思想

chrisrh   2018-12-31 17:17 楼主
在用户手册第三章中介绍了Rapid IoT的硬件架构,主控MCU和各传感器的外围均属常见电路,和常见的开发板相类似。觉得Power部分挺不错的,便学习了一下,以后做相关电路时可以当作参考电路。 用户手册中电源部分的设计框图: power框图.jpg 于是电路设计时也是基于这个框图进行分布设计,各部分与框图中一一相应: power.jpg 关于电池电量检测,先用电阻分压,然后用ADC对BAT_SENS进行采样计算: adc.jpg 并且还可以通过MCU上的I/O控制使能与否。 下面是电源电路中几个芯片的datasheet和典型电路图: SI1317DL-T1-GE3
si1317dl.pdf (1.94 MB)
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si317.jpg DMG1016V-7
DMG1016V-7.pdf (198.89 KB)
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1016.jpg XCL210
XCL210.pdf (990.45 KB)
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xcl210.jpg XC8102AA017R-G
XC8102AA017R-G.pdf (355.8 KB)
(下载次数: 1, 2018-12-31 17:08 上传)
8102.jpg 此内容由EEWORLD论坛网友chrisrh原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 本帖最后由 chrisrh 于 2018-12-31 17:16 编辑

回复评论 (1)

使用N-MOS管控制P-MOS管的,当BAT_SENS_EN输出为低时,N管P管均不工作,1和6,3和4均处于断开状态;
当BAT_SENS_EN输出为高时,经过电阻分压,使分得的电压从2脚输入,高于N-MOS管栅极G1的开启电压,N管的漏极D1和源极S1导通,VCC_BAT从6脚流向->1脚,此时DMG1016的5脚电平从高电平被拉至低电平,上部P-MOS管的栅极G2被打开,VCC_BAT从4脚流向->3脚,再通过R24、R25分压后送至BAT_SENS。
从而实现BAT_SENS_EN高电平控制传感器使能,低电平控制传感器关闭。


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