[讨论] 影响自举电路的5个因素

安_然   2010-6-4 15:11 楼主
1. Gate Charge required to enhance MGT
2. Iqbs - quiescent current for the high side driver circuitry
3. Currents within the level shifter of the control IC
4. MGT gate-source forward leakage current
5. Bootstrap capacitor leakage current
工程 = 数学+物理+经济

回复评论 (4)

notice :第5点为电解电容时才需要考虑
工程 = 数学+物理+经济
点赞  2010-6-4 15:12
引用: 安_然 发表于 2010-6-4 15:12 notice :第5点为电解电容时才需要考虑

对的,并且自举电容基本上是MLCC,没见过采用电解电容的

点赞  2024-7-8 14:55

Gate Charge required to enhance MGT

 提高mgt所需的栅极电荷  百度翻译

点赞  2024-7-11 01:37

 Iqbs - quiescent current for the high side driver circuitry

iqbs-高侧驱动器电路的静态电流

点赞  2024-7-11 01:40
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