[求助] MOS 功率耗散（最大值）和负载功率什么关系？

我搞不清MOS的功率耗散和MOS能够工作的负载功耗是什么关系？只做开关用。下面两个管子比较哪个好？
BL(上海贝岭)：BLM3401
连续漏极电流（Id）（25°C 时）        4.2A       
漏源电压（Vdss）        30V       
栅源极阈值电压（最大值）        1.3V @ 250uA       
漏源导通电阻（最大值）        55 mΩ @ 4.2A，10V       
类型        P 沟道       
功率耗散（最大值）        1.2W

ON(安森美)：FDV304P PMOS参数
P沟道,-25V,-0.46A,1.1Ω@-4.5V
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：460mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：63pF @ 10V
功率 - 最大值：350mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23

我搞不清MOS的功率耗散和MOS能够工作的负载功耗是什么关系？

可以说二者没有什么关系。

下面两个管子比较哪个好？

看你的需要。能够满足你的需要，并且价格低，就是好。

比如这只管子：IRLML6401TRPBF
连续漏极电流（Id）（25°C 时）        4.3A       
漏源电压（Vdss）        12V       
栅源极阈值电压（最大值）        950mV @ 250uA       
漏源导通电阻（最大值）        50 mΩ @ 4.3A，4.5V       
类型        P 沟道       
功率耗散（最大值）        1.3W

是不是在25°C时，漏源电压4.5V时，导通电阻是50mΩ，电路的负载最大电流不可以超过4.3A吗？

Vds，Ids确定后，内阻就是关键了
耗散功率这玩意，实际选用的时候，不是主要考虑范围，因为与温度有关

选用后，一般按要求做好散热，一般手册上，功率耗损可由Iload的平方×RDS（ON）计算，导通电阻随温度变化，功率耗损也会跟着按比例变化。

是不是在25°C时，漏源电压4.5V时，导通电阻是50mΩ，电路的负载最大电流不可以超过4.3A吗？

是。
不过，导通电阻测试条件应该标注门极源极之间电压，即在多大门极源极之间的电压下测试的。

软开关和低速硬开关考虑rdson, 常规mosfet在20k以上的硬开关rdson引起的损耗已经不是主要，同步整流的临介频率100k级，GaN 1M级