此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。
为了提高效率,此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。
详细设计资料:
Power Factor Correction (PFC) PCB
Interleaved CCM Totem Pole Bridgeless Power Factor Correction Assembly Drawing
Interleaved CCM Totem Pole Bridgeless Power Factor Correction (PFC) Gerber
具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 数据表 (Rev. E)
TMS320F2807x Piccolo™ 微控制器 数据表 (Rev. G)
TMS320F28004x Piccolo™ 微控制器 数据表 (Rev. D)
TMS320F28004x Piccolo™ 微控制器 数据表 (Rev. B)
采用 C2000™ MCU 的交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计 (Rev. B)
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