[求助] GS之间接电容

c16有什么作用，第一次见这样做

不但接个电容，电容量还这么大。

估计该MOS管只能相当缓慢地动作。

至于什么作用，只能问电路设计者。

确实少见且看不懂的电路

电容跟串联的小电阻构成了一个低通滤波器，设计者是不是想要用来滤除高频干扰？

首帖图中C16和R12确实构成一个低通滤波。

但“滤除高频干扰”作用很有限。首先功率MOS管门极输入电容就不小，米勒电容更大，二者加起来和C16相比较可能稍小于C16，至少是同一数量级。在这种情况下，“滤除高频干扰”意义不大。

另外，MOS管门极到前级驱动电路输出端的距离必须尽量短，这是常识。这种情况，外来干扰很难作用在驱动电路到MOS管门极联接线上。

可能是这个管子不需要太快的开关速度。

使用加个电容让MOS管导通和关断更慢一些，降低开关节点的过冲和振铃现象。

获得更好的EMI性能。

要实现使MOS管导通和关断更慢一些，只要把首帖图中R12加大一些即可，不必另加一个电容。

电阻，无论是多大电阻值，价格基本是一样的，而另加一个电容，势必要增加成本。

这个位置加电容还是很常见的，特别在大功率的mos或者IGBT驱动使用条件。驱动电阻这条线走得比较长的时候，这个电容作用就要考虑用上了。如果用作高频开关管，那100nf肯定是错误的，这个容值一般取1/8的输入等效电容，不宜太大，这个电容增加了驱动器的负荷

（删图，涉密。。。）

BAT母线上有几颗大电解，GS没有并电容之前，CHG_EN使能经常烧MOSFET，加了104后没再发现。

充电器的开路电压比电池放电截止电压高40%，MOSFET开太快，两边电解等效为电压源，内阻极低，几百A的瞬太电流，连DPAK这样的封装也杠不住，加了104电容峰值电流降5-10倍

这个确实IGBT，我画成MOS管了

什么涉密？

假设这个电路电容取值不当，我也看过其它人，将这个电容改成pF级别的小电容，我还是不知道这个电容发的作用

有没有可能是该电路需要较为精密和平稳的波形驱动MOS管

所以加上R12和C16构成了一个阻容滤波，给驱动波形增加滤波时间

让MOS管的门极驱动波形更加稳定，没有毛刺

当然R12之前很有可能还串接了别的大阻值的电阻，不然6.2欧姆太小了

即使需要较为精密和平稳的波形驱动MOS管，也没有必要在门极上并联一个电容，因为MOS管门极输入电容相当大，“需要较为精密和平稳的波形驱动MOS管”而不考虑开关速度时，只要把R12增大一些就够了。

没理解怎么会有几百A的瞬间电流，是怎么个原理，能简单上个示意图么

吸收输入毛刺的作用，作者可能是想当有一个小一点的毛刺电压过来时，可以通过C16把输入的毛刺电压给吸收掉或者是滤掉高频的电压。如果导线很长就有可能出现高频的干扰吧。

如果是因为驱动走线过长，可以考虑适当的加一个小电容，如果是要开关速度慢点，可以增大驱动电阻。

GS加这个数量级的电容，虽然可减慢开关速度，降低开通瞬间的峰值电流，可是启动后仍然会影响其开关速度，或许用个软开关更好些。

以前分析过一款产品，的确是gs并电容。

大概原因就是驱动感性负载，开关速度变慢。