[求助] 这个图能不能这样使用？

因为单片机的IO是5V的，而传感器信号是24V的，我希望IO控制光耦的同时，传感器可以切断光耦的信号，因为单片机IO上电都是高电平，所以用IO来控制光耦LED边的负极，不知道这个电路可行吗

“我希望IO控制光耦的同时，传感器可以切断光耦的信号”

图中开关SW表示幅度为24V的传感器信号？

对，就是用来模拟那个传感器的信号

你的意图，是SW掷向24V时，Q2关断(没有集电极电流)，光耦不能导通，而SW掷向地时，光耦随I/O口电平变化。

此电路有点问题：

SW掷向24V时，24V电压经1千欧电阻和Q2发射结接到5V上。Q2发射结承受24V－5V＝19V电压。但是普通硅三极管发射结通常只能承受5V～6V的电压，所以Q2发射结会被击穿。而Q2发射结击穿后集电极电流是多少，不能确定(即使是厂家的说明书也不会给出发射结反向击穿时的各项参数)。

那要怎么改才能同时兼容5V的IO跟24V的传感器，都可以断开这个光耦呢？

正常情况下，传感器是输出24V正极的，有信号时输出负极

可以这样。

二极管可以用1N4148，如果对速度要求不高也可以用1N4007。

电阻R9数值改成10千欧。

当二极管负端接24V时，Q2因R8并联在发射结两端，R8中没有电流，自然关断。

当二极管负端接地时，二极管正向导通，5V减去二极管正向压降再减去Q2发射结压降，除以10千欧，电流约0.36mA。0.36mA的基极电流，足够使Q2饱和导通。

好的，感谢，我去测试下

弱弱的问下，5V减去二极管正向压降再减去Q2发射结压降，除以10千欧，电流约0.36mA，是不是大概(5-1.4)/10000?，0.36MA就够三极管导通了吗？三极管的导通电流怎么看的？

“5V减去二极管正向压降再减去Q2发射结压降，除以10千欧，电流约0.36mA，是不是大概(5-1.4)/10000?”

是。

这里忽略了电阻R8中的电流。电阻R8中电流约0.7V/10000欧=0.07mA。

0.36mA的基极电流，已经足够Q2饱和导通。

是否进入饱和，看集电极电流与基极电流之比。Q2集电极电流不会超过5V/300欧＝16.7mA(这里还没有扣除光耦中发光管的压降，约1.1V。考虑发光管压降则只有13mA)，集电极电流与基极电流之比约为16.7mA/0.36mA=46，而一般小功率三极管电流放大倍数在50以上，甚至可达100以上。所以Q2基极电流0.36mA必定可以使Q2进入饱和。

电阻R8中电流约0.7V/10000欧=0.07mA。这里的0.7V是怎么来的呢？还有，为什么要忽略呢？