我把TL494的数据手册认真看了一遍，然后搭了这个电路，升压是做到了，但是我想做到输出为24V，2A该采取什么办法？还有，我看了一些求电感的公式，但仿真出来的电压还是无法达到目的。
maychang 发表于 2019-7-25 19:54 既然是仿真，那么示波器、电压表、电流表是随便用的，图中也放置了示波器。为什么不看看图中MOS管门极波形 ...
这个是G极的
另一个是漏极的
本帖最后由 YJJ盛夏 于 2019-7-25 20:03 编辑引用: YJJ盛夏 发表于 2019-7-25 20:01 maychang 发表于 2019-7-25 19:54 既然是仿真，那么示波器、电压表、电流表是随便用的，图中也放置了示波 ...
你的仿真示波器有四个通道，可你每次都是只使用一个，而且测量门极波形和漏极波形时不但改变Y轴增益，还改变X轴扫描速度。之所以制造双通道、四通道示波器，就是为了可以同时显示电路中不同地点的波形。现在放着四通道示波器不用，只使用一个通道，是自己和自己过不去。
首帖图中电感L1右端和MOS管漏极之间放置了一个直流电流表，MOS管门极对地之间放置了一个直流电压表。对仿真来说这样联接没有什么，实际电路这样联接，开关电源工作必定不正常，甚至冒烟放炮都有可能。
引用: 伟林电源 发表于 2019-7-25 22:12 你这个图貌似没有反馈？？还有，494直接驱动mos？
本来也以为驱动不了，然后学长和我讲是可以驱动一个的，我就这样仿真了
引用: YJJ盛夏 发表于 2019-7-26 09:05 本来也以为驱动不了，然后学长和我讲是可以驱动一个的，我就这样仿真了
TL494输出级每管允许200mA电流，两管并联当然电流更大些，驱动功率MOS稍感不足，勉强可用。
但首帖图中MOS管门极上拉靠电阻，电阻中电流不会超过15V/150欧，上拉能力不够，所以3楼图中门极波形上升沿缓慢倾斜，下降沿陡峭。
YJJ盛夏 发表于 2019-7-26 09:05 本来也以为驱动不了，然后学长和我讲是可以驱动一个的，我就这样仿真了
纯属扯淡，连maychang老师都说勉强，而实际应用需要上拉下拉都要考虑周全，还不如用个图腾柱来的省事。
引用: maychang 发表于 2019-7-26 09:32 “但是我想做到输出为24V，2A该采取什么办法？” 输出要求2A，整流管用1N4148？你查查1N4148 ...
4148才几百ma，你这个电流要求起码要用到3a以上的快恢复或肖特基才可以。
75欧的上拉，上升沿够用了。开关时间主要看米勒平台，大约在3-4V的那个小台阶，时间很短的。米勒平台是MOSFET开关过程中短暂工作于线性区集中表现。开关速度太快并不是什么好事，反激里Rg串10-100欧对效率并没有太明显的影响，但是EMI大相径庭
引用: PowerAnts 发表于 2019-7-26 13:24 75欧的上拉，上升沿够用了。开关时间主要看米勒平台，大约在3-4V的那个小台阶，时间很短的。米勒平台是MOSF ...
1、楼主贴图中采用的是150欧上拉电阻，100ma的上拉电流不足以保证Cgs的充电，导通mos有点勉强。
2、改用200ma或许可以保证mos正常导通，可是关断怎么办？
引用: PowerAnts 发表于 2019-7-26 13:25 用图腾柱的好处，是可以获得较小的静态电流、且峰值电流比较大
同样的预设条件，为何不直接采用图腾柱呢？可靠性及扩展性都提高了等级。
引用: maychang 发表于 2019-7-26 09:40 TL494输出级每管允许200mA电流，两管并联当然电流更大些，驱动功率MOS稍感不足，勉强可用。 但首帖图 ...
那我如果减小电阻的值呢，比如50R这样的
引用: 伟林电源 发表于 2019-7-26 14:16 1、楼主贴图中采用的是150欧上拉电阻，100ma的上拉电流不足以保证Cgs的充电，导通mos有点勉强。 2、改 ...
睁大你的镀金眼看清楚，是75欧，哈哈。。因为VDS只有15V，故密勒效应不明显，平台基本不可见，MOSFET的开启时间实际上是一阶RC响应中3~5V的一小段。按5000pF考虑，驱动电平12V，开启过程中线性区持续时间大约为95nS，足亦。。。
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