[讨论] 电容的基础问题

最近围观版主RCD的帖子，里面讨论了很多关于MOS  Coss的问题，受益颇多

RCD的计算方法https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1087737-1-1.html

恰巧最近看了另外一篇文章，里面有个很基础但有意思的问题：

话说，并联的两个电容，将其充电到相同的电压并保持相同的存储电荷，它们是否必定存储了相同的能量？

原帖链接先不贴出来，试试水，大家如何看这个问题。

记得多年前，在讨论BJT的开启与关断问题时，以maychang为代表的一方认为主要是多子的问题，当时有一两个反派认为是结电容的问题，认为开关的延时是因为接近零偏时结电容非常大，需要储存很多的电荷，所以速度慢。这本是个求极限的问题，电压接近0时结电容固然大，不过因为电压很小，所需的电荷量也就有限，并不会无限收纳。

因为MOSFET的结电容是非线性的，原厂一般提供一个Eoss来评估Coss的储能量

实际应用中，外界并联的电容 (如变压器的层间匝间电容，一二次侧电容经Y电容接入等）可认为是线性的，其储能比Eoss大，所以在谐振时，非线性的作用被大大缓和，不是太突出了

光看MOSFET的Coss+Crss, 总量用蓝线表示，一半以上的电荷是在15V以下储存，但能量却非常少；

当外界并入100pF量级的电容，实际工作中U-C曲线变成红线所示

一语道破，大赞👍👍👍

这个坛子玩的人也这么少

一看到你的贴子，就知道你在啃PDF。假以时日，必成大器

非常好的资料，非常感谢

感谢分享，正是我想要的