碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比,它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是,碳化硅具备更高的击穿电场强度和导热率,可以制造出远超相应硅基的器件。这样您就可以在设计中实现原本无法企及的效率水平。
英飞凌CoolSiC™半导体解决方案是迈向节能世界的一大步。将革命性的SiC技术与我们充足的的系统知识、一流的封装和卓越的生产工艺相结合,使您能够开发先进的高系统性价比新产品。 >>了解更多英飞凌CoolSiC™ 半导体解决方案
活动时间:即日起——2019年10月23日
参与方式
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3. 答对3题及以上网友将有机会获得50元京东卡1张,活动结束后统一发奖!
温馨提示
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40份50元京东卡(可兑换E金币)