[求助] 负压mos管开关电路

如何用三极管和mos管控制负电压的开关，比如-10V输入，想用单片机去控制-10V输出，如何去实现，有没有推荐电路，请大侠赐教

“如何用三极管和mos管控制负电压的开关”

至少有三个办法：

一是利用光耦控制MOS管的“开”和“关”。

二是用PNP三极管实现电平移动来控制MOS管。

三是使用一个比较器或者运放来控制MOS管。

求教PNP三极管怎么去控制mos管，给个简单的电路

“求教PNP三极管怎么去控制mos管，给个简单的电路”

简单电路如下图：

MCU给高电平Q1，Q2导通，MOS管G极为VCC电压，Vgs>0，output=-10V

MCU给低电平，Q1,Q2均不导通，MOS管G极为INPUT电压，MOS管不导通

这样理解对吗？

“这样理解对吗？”

差不多。唯一需要修改的是 “Vgs>0” 应该改成 “Vgs近似等于VCC＋10V”。前面你已经说过 “MOS管G极为VCC电压”。

另外我想让MCU输出低电平导通，Vout输出-10V，怎么去调整

求教，谢谢

“想让MCU输出低电平导通，Vout输出-10V”

那就更简单，只要单片机I/O口引脚串联适当的限流电阻再接Q2基极即可，Q1去掉不用。Q2基极与发射极之间最好接个数千欧电阻。注意VCC是为单片机供电的电源。

电路很简单，如上图。

Q2在MCU输出低电平时必可饱和导通，只要R3不太小，R1不过大。

Q2基极与发射极之间的电阻R2，是为了避免MCU输出高电平时由于强干扰致使Q2短暂导通。

MCU可能是强下拉弱上拉(51系列单片机就是如此)，这种单片机输出低电平时输出阻抗较小，输出高电平时输出阻抗很大。那么MCU输出高电平时，若无R2，Q2基极处于高阻抗状态，容易受到干扰。加入R2可以降低Q2基极对地(就是VCC，二者交流等电位)阻抗，Q2不容易受干扰影响短暂导通。

可以换成P-Mos管来驱动-10V吗

“可以换成P-Mos管来驱动-10V吗”

不是 “驱动” ，而是控制-10V的 “开” 和 “关”。

用P沟MOS管来控制负电源的 “开” 和 “关”，不是绝对不可以，但电路比较复杂。另外，同样电压同样电流容量的P沟MOS管比N沟MOS管要贵。

所谓 “输入” 和 “输出” ，是对交流小信号而言。双极型三极管有共发射极、共集电极、共基极三种电路，场效应管有共源极、共漏极、共门极三种电路，三种电路中没有 “D输入S输出” 这一种。

我想，你所说 “D输入S输出” ，大概是指电流方向。N沟MOS管确实应该电流从D流入从S流出，但4楼和11楼图中电流正是从D流入从S流出。

N沟MOS管，即使电流从源极流入漏极流出，管子也不会损坏，这一点与双极型三极管不太一样。MOS管的导通是由于 “沟道” 变宽，电流从 “沟道” 哪一侧流入哪一侧流出却是一样的。不同是在MOS管关断时。功率MOS管体内存在一个寄生二极管(从MOS管符号即可见到)。MOS管关断时，该寄生二极管对两个方向并不对称。

请问4楼设计控制-10v的电路，当mos管截止的时候，-10的电压会经过那个寄生二极管吗？

请问这个电路，mos管不导通的情况下，-10v的电压会通过二极管过去吗，谢谢！