我习惯于优先保证变压器绕组满层反推其他参数，

计算来计算去最终还是要根据实际变压器反向验证，就像公式Udc(min)=1.414*Vac(min)，看上去无比正确，然而实际上没有人会这么玩

当然。

例如前两天发的帖子，输入电压要求9V开始，最高到150V，12V 8A输出的案例。9～150V这个输入电压变化范围，恐怕是第一个需要考虑的。

“就像公式Udc(min)=1.414*Vac(min)，看上去无比正确，然而实际上没有人会这么玩”

根本办不到的事情，实际电压必定低于此值，而且可能低不少，怎么能这么计算？

PWM+PFM混合驱动，这个电压范围已经不是什么难事，GanFET在几百KHz频率下轻松自如，不要把思维局限在古老的PWM和MOSFET上面。

21楼的Udc(min) 公式，是9楼提出来的

9～150V输入，显然需要PWM＋PFM，单纯PWM的话，占空比变化范围根本做不到。

不过，就楼主提出的问题而言，恐怕谈不到PFM，甚至楼主可能不知道什么是PFM。

楼主并没有提输入范围，9-150是你两度提出

加入PFM的目的并不是因为占空比的范围做不到，以9-150的范围，恬当的参数配置可使开关的占空比变化仅4倍。

有没有办法做到更大的占空比变化？答案是肯定的，想办法让磁路的占空比小于开关的占空比即可。磁路固定丢失1uS脉冲，开关导通时间从0.5-3uS变化，有效占空比为0-2uS，变化范围何止1亿倍

估计没有人想到将移相全桥上饱受诟病的占空比丢失用到反激上来提高输入范围

LCD钳位会产生环流，相当于是交流供电的无功电流，加入PFM的目的是满足空载损耗

回到楼主的主题：如何估算最大占空比？

答：跟据磁路复位伏秒原理，最大占空比没有绝对的规定！视要求而定

CRT电视机的行输出占空比达0.82，康佳的那个陶总工白做了半辈子的CRT，七拼八筹写点东西都强调反激的最大占空比为0.5

康佳的那位所说，当然是不对。他说的伏秒积，记得在eeworld某位管理员曾转贴过，当时你就指出来了。

“让磁路的占空比小于开关的占空比即可”，这个我可不知道是如何实现的。

移相全桥，这个知道一些，当时是想用移相方式 “反转” 全桥的输出极性。

回到楼主的主题：如何估算最大占空比？

答：跟据磁路复位伏秒原理，最大占空比没有绝对的规定！视要求而定

这可有点为难楼主了。

这个方法，应该说是PWM和磁放大器的联合运用。

楼主更摸不到门路了。

另外，功率稍大的反激，是不可能完全工作在DCM或CCM的，大多存在有状态过渡，比如笔记本适配器。

笔记本在电池充电过程，光驱读盘，内存插满，硬盘狂读狂写，再跑着多任务的3DMAX这种巨耗资源的特殊情况下，恐怕是CCM，而系统关闭，电池快充满的情况下，充电功率会从0.3C的十几到20W下降到截止时的3W，这种情况基本都是DCM。

一个通用型的中大功率反激电源的环路，一定会兼顾CCM和DCM两种情况。不会只考虑其一。

很难做到只工作在一种模式吧，接触过的只有QR，PSR芯片全程工作在一种模式

我也来学学