[分享] TMS320F28377S Flash和RAM中的代码效率

一般我们建议将实时性要求比较高的代码，和FLASH初始化相关的代码，比如中断程序，放在RAM上运行。

在F2837xD/37xS/07x系列芯片里，它们使用的Flash是最新的65nm工艺(相比之前的是180nm)，其Flash运算速度和执行效率已经大幅提高，等待周期也可以减少，因此会非常接近RAM上的速度，根据不同的代码，你可以参考下面的相关数据(请注意，Flash wait states是根据工艺强制要求的，比如F28335运行150MHz主频时，必须至少要5个，而F2837x则只需要2个 )：

GPIO的配置
使用时建议先将寄存器的值写入，再改变GPIO的方向。
GPyDAT反应引脚状态，可以读状态，不建议直接使用它写状态，由于时序的原因，可能干扰其他引脚
GPySET=1置高，GPyCLEAR=1置低，GPyTOGGLE=1翻转，写入0无效果。
GPIO的功能复用表可参考技术手册7.7节
7.8节指出，芯片复位时GPIO处于输入模式，并禁止内部上拉。 这意味着上电瞬间DSP的引脚输出状态是高阻，也就是不确定的，在硬件设计时必须针对制定方案，添加上下拉电阻。避免不确定的状态导致IGBT等功率元件误动作。
本节针内部对上拉电阻的配置提出了要求。指出在小封装的型号上必须用GPIO_EnabledUnbondedIOPullups()函数可以使能未使用GPIO的上拉电阻。
示例 gpio_setup
GPIO及其复用的配置可以参考例程 “gpio_setup”。

EALLOW，EDIS是成对使用的，有些寄存器是受到保护的，不能任意写
EALLOW相当于去掉保护，对写保护的寄存器进行操作后， EDIS 是重新把这个寄存器保护起来。
在 F2837xS_SysCtrl.c 文件中有注释提到// IF RUNNING FROM FLASH, PLEASE COPY OVER THE SECTION ".TI.ramfunc" FROM FLASH TO RAM PRIOR TO CALLING InitSysCtrl(). THIS PREVENTS THE MCU FROM THROWING AN EXCEPTION WHEN A CALL TO DELAY_US() IS MADE. 即如果从Flash运行程序，需要在执行InitSysCtrl()前将.TI.ramfunc从FLASH复制到RAM中。

谢谢