[讨论] 文氏电桥中MOS管的类型

这种由MOS管做的稳压电路，MOS管只能用N型的吗？

楼主的图中，场效应管好像不是MOS，而是JFET，即结型场效应管。

“是JFET，即结型场效应管”可以把这种管子换为MOS管吗？比如2N7002这种类型的

原则上是可以的，但电路的其它部分必须修改。

实际上，一楼图可能有错误。你看看二极管D1的方向。

这个图我个人理解是没有问题，D1二极管应该是阻止正向电压用的，因为JFET的G极控制电压为负的

不错，上面运放输出信号幅度越大，经下面运放输出的信号幅度也越大，经D1整流后负的直流电压也越大，场效应管门极越负，等效电阻越大，上面运放的负反馈量越大，上面运放的电压增益减小。

但D1正极接到C4上端，C4两端电压应该是上正下负。但C4上端标注为电解电容的正端，电解电容C4接反了。

楼主接连发了两个帖子，目标就是一个振荡器。

关于这个文氏桥振荡器，用场效应管做增益控制可以得到失真很低的正弦波，但是前提是那个场效应管在零点附近有很好的线性电阻特性——不仅在一个象限，应该是在两个象限。

至于可以不可以用MOS管，理论上可以，但是MOS管是否有足够好的线性电阻特性？没有研究过，不敢说。

关于用JFET获得高线性电阻特性的资料，可以参考黑田彻《晶体管电路设计与制作》5.6节。

顺便说一下，记得楼主在另一个帖里面要求的是一个频率5M还是8M的振荡器，用文氏桥的话也不是不可以，但是频率稍高了一些，另外RC振荡器的频率稳定度也不好。

主要是要得到一个8~12M的正弦波，要求是谐波分量尽量小，这就要求正弦波形失真度小，如果失真度大，谐波分量多的话，就会引起辐射发射的问题，一直以来的困扰是如何获得一个高纯度的正弦波

这里说到“辐射发射”，想起一个问题：如果最后要有一定的功率输出的话，即使前面的振荡器输出波形很纯，经过高频放大器还是会有失真，也就是有高次谐波产生的。

不知道需要多大的功率输出？

另外，8~12MHz，是要一个单一频率，还是可以在频段内任意改变频率？这两种情况可能也对电路结构有影响。

输出的功率不大，因为负载是容性负载最大15pF，只是负载是一个10~30cm长直径1mm的空心金属管子

8~12M范围内的一个频率点，固定的，不需要可调

天线？电极？