[求助] 求助这个电流镜VGS通过什么途径、思路求得，非常感谢！

电流镜还有这样的？MOS管能构成电流镜么？

前所未见。

这个电路是可以工作的。比如说我想设计ID=5.5mA，是怎么构思的。

此电路确实两个MOS管漏极电流相等。

要使右管电流为 I，左管漏极电阻应该为5V减去MOS管开启电压(严格地说，应该是再减去漏极电流除以跨导)除以所需要的漏极电流 I。

当然，前提是左右两个MOS管开启电压和跨导等参数完全相等。

标题是”求助这个电流镜VGS通过什么途径、思路求得“。VGS应该是MOS管开启电压再加上漏极电流除以跨导。

电路元件的电流、电压应该可以在未实际测量前计算出来（当然前提是知道除了电流、电压其他参数），所以ID是不知道的，知道ID的话，VGS就直接=5V-ID*R了

你在3楼说的是 “比如说我想设计ID=5.5mA，是怎么构思的。” 那么ID应该是已知。

是我假设的，搞复杂了。ID是不知道的

MOS管开启电压和跨导等等这些参数，是由制造工艺决定的。管子制造完成，这些参数就确定了，不可能从外界进行修改，只能用一定方法来测量。

不太明白楼主问题的意思。

用MOS管构成的电流镜，通常工作在饱和区，其电流表达式是：

其中mu是载流子迁移率，C是栅极单位面积的电容，W/L是栅极的宽长比，VGS是栅源电压，VTH是阈值电压。若知道场效应管的上述参数，又由图知VGS=5V-I*R，应该可以求得I

就是手工计算出VGS和ID

前辈上面的公式的VGS怎么求得

我是说如果知道MOS管的参数可以得到I

具体说，电子迁移率，栅极电容，栅极宽长比再设计MOS管的时候是已知的，做成MOS管后，其开启电压也是已知的，此时两个方程中只剩ID和VGS两个参数，就可以解方程了

老师国庆节快乐！有一个疑问卡了好多天，不是这楼层的问题，是一个频率响应的问题。因为私信不能发图片，所以在这里问您。希望得到您的指点。下面的电路推导出的传递函数与零点、极点的标准形式不一样(当然也不排除印刷错误)，但是也得到了两个时间常数τs和τp。想问这个推导的过程和理由，书中没有给出来，只是说精确的传递函数，很难推导就完事了。如果遇到更复杂和更多的电容都不知道该化成什么样的传递函数形式了。

国庆出门刚回家，回复迟了。

上述电路的传递函数，可以根据电路直接写出：

H(s)=[Rp||(1/sCp)] / [Rs+(1/sCs)+(Rp||(1/sCp))]

即电阻电容串联部分与电阻电容并联部分的分压。

将上式化简就可以得到你看到的结果。

如果进一步将其中的繁分式化简，可以得到与标准形式一致的函数形式。

谢谢回复，基本明白了，现在也忘了许多，哈哈。我想问的是作者怎么知道化成这种含有时间常数的形式。现在大概知道为什么作者会这样列，是因为两个极点标准分母试子乘进去都可以得到上面的形式，作者这样做是一种经验化法。