[讨论] 增强型 NMOS加反向栅源电压是否对漏源漏电流有效

    如题目，对于MOS管的datasheet，通常有Vgs等于0时，特定Vds、温度下的漏源电流范围，要减小这个电流 ，是降低 漏源电压有效 ，还是给栅源加负压有效？温度没法控制。

 增强型 NMOS，栅源加负压减小漏源电流，加负压驱动都不工作了，不行吧

耗尽型FET能在Ugs>0, 和=0和<0时都正常工作

即使耗尽型用负压Ugs，供电需要负压也挺麻烦
栅源电压Ugs向负值方向变化时,漏极电流 Id 是减小的，直到Ugs到夹断电压，Id为零

减小这个漏源电流，还是要控制好温度，或选漏电流小一点的MOS管型号

这个前几天求助过峰值采样电路的一部分。单次采样后要对 采样电容放电，不想用继电器，就用增强型NMOS。MOS漏电，保持时间 不会太长，采样电容给大点，充电又要求太高，就 想着降低MOS的关状态漏电流 。