从 3G 到 5G 的演进过程当中,信号的调制方式都在不断演进,这就让氮化镓逐渐成为了行业关注的重点。
氮化镓带来的优势,例如:使得氮化镓的成本有了大幅度的下降,可靠性和高效率也有所提升,这是以前的 LDMOS 或砷化镓等工艺器件所不具备的。
先看 PA 方面,氮化镓能带来的提升包括三个方面,具体来看一下吧。
一.能支持更高信号带宽
这是由氮化镓的低寄生容性和高阻等特性决定的;
这是由其低射频损耗带来的;
在高频段、宽带宽的应用下,想要在提高功率的同时保持更好的线性,对器件要求相当大,而氮化镓的特性,让它们能轻易应对这种挑战。
和传统的砷化镓器件相比较,在同样条件下,氮化镓的寿命和使用时间都比砷化镓高很多。
在器件节温来看,氮化镓器件的表现比砷化镓器件高很多。
从 5G 基站的需求看来,他们要求器件能支持更多的频段,同时还能做到小型化,这在毫米波时代需要 128T 甚至 256T 的天线阵列的前提下,更是必须的;此外,硬件成本也是限制 5G 基站发展的一个重要因素;最后,功耗也是运营商需要考量的一个关键。
从天线角度看,如图所示,天线阵列应该采用锗化硅工艺制造。但采用这种工艺设计的天线,输出功率大不了。因为一旦功率过高,器件的效率就达不到。这就意味着在同样的 EIRP 的情况下,所需的天线路数更多。来到砷化镓方面,功率则可以做到相对高一点。氮化镓则可以做到更高。
现在清楚为什么是未来行业的重点了吧,以上内容摘录自Qorvo 基础建设事业部高级销售经理Kevin He 的《基于5G 基站的毫米波技术和解决方案》。想了解更多内容,请点击阅读原文。
引用: se7ens 发表于 2021-8-13 13:58 感觉是较低的损耗和较高的耐压性能
是啊,应该挺好的、
引用: hqli126 发表于 2021-8-15 07:30 氮化镓器件的表现比砷化镓器件高很多,现在天线都做到IC上了?
集成化越来越高了。