本是想测试两个MOS管的漏极电流，可发现Q1这个管子DS经常击穿，不知道是哪里问题
Q1的源极网络标号为什么为PGND？
引用: maychang 发表于 2021-8-27 16:43 Q1和Q2漏极源极之间承受的最大电压才5V，而且串联了100欧电阻，Q1漏极源极之间几乎不可能击穿。 恐怕 ...
我是想测MOSFET的静态电流，我现在把R1 R2改成1Ω就没有出现击穿的现象了，但是R1的电压是160uV 而R2上的电压却是0V，觉得这不正常
引用: Gen_X 发表于 2021-8-30 08:15 是单边导通了还是真的击穿了
真击穿了，我是想测MOSFET的静态电流，我现在把R1 R2改成1Ω就没有出现击穿的现象了，但是R1的电压是160uV 而R2上的电压却是0V，觉得这不正常
引用: chunyang 发表于 2021-8-29 18:14 先说说是怎么判定DS击穿的，又是怎么个“经常”。
我是想测MOSFET的静态电流，我现在把R1 R2改成1Ω就没有出现击穿的现象了，但是R1的电压是160uV 而R2上的电压却是0V，觉得这不正常
引用: zk643 发表于 2021-8-31 13:53 我是想测MOSFET的静态电流，我现在把R1 R2改成1Ω就没有出现击穿的现象了，但是R1的电压是160uV 而R ...
{但是R1的电压是160uV 而R2上的电压却是0V，觉得这不正常}
R1R2两端电压不等，也就是说R1R2中电流不等，完全正常。毕竟还有个电阻Rs。
引用: zk643 发表于 2021-8-31 13:54 我是想测MOSFET的静态电流，我现在把R1 R2改成1Ω就没有出现击穿的现象了，但是R1的电压是160uV 而R ...
还是没有说怎么判断“击穿”，怎么又是“经常”……
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