MOS管的漏电流
在微型可穿戴设备中，对于电池的功耗要求很高，所以为了省电，其实电路也是很多的，最省电的无疑就是直接断开电池的供电了
这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。
NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的，重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS，一般小于多少才算是极低的漏电流？
这个与管子的功率有关，不同品牌的也有关
ID电流越大漏电流越大。
小功率的管子漏电流也小些
可穿戴设备中应该使用的低功耗的器件，包括MOS管
管子关断时，漏电流要小，
2N7002最大1uA
最低没有标准，要求最低是无止境的，适合自己满足要求的就是最低的
对 基本上都是在1uA以上
引用: baopodao 发表于 2021-10-13 12:34 电池本身具有自放电特性，只要器件的漏电流远低于电池自放电即可。
电池自放电 远远大于1uA？
引用: baopodao 发表于 2021-10-16 11:16 自放电和电池的容量有关，一般1Ah的锂电，有几十微安的自放电，以此来说100mA的锂电有几个微安的自放电。
那么大？那50mAh的自放电是多少
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