新手学习arm硬件，请教一个问题。
三星2440上面可以nand nor flash启动。
nand 启动的时候就是自动复制nand 前4K的到内部4K的SRAM上，并且SRAM的地址为0x00开始，nor flash启动的时候，就是片选nor flash到0x00，直接从0x00开始运行即可。现在有个问题，我nand 启动的时候，能不能访问nor flash，这个nor flash此时的地址是什么。
不是很明白，为了nor flash启动的时候，nor flash的地址在0x00开始，所以我的理解就是nor flsh是放在bank 0上面的bank0上面的
我的nor是这样接的：
ADDR1-ADDR20 ——————》A0-A19
DATA0-DATA15 ——————》D0-D15
nGCS0
三星2440 NorFlash
AM29LV800BB
现在在nand启动的时候这个一块就不是bank0了，那怎么访问呢？
NOR flash 挂在bank 0上的，在数据手册有说明。
我觉得是可以访问的。
那nand启动的时候 nor flash前4k就和片内4kram的地址相冲突了啊
既然有nor,何必要nand启动？？这不是自己给自己找麻烦吗。
我认为是不行的，如果接nor，就要接到0x0地址，那就不能从nand启动。
引用: 引用 6 楼 yashi 的回复:
既然有nor,何必要nand启动？？这不是自己给自己找麻烦吗。
我认为是不行的，如果接nor，就要接到0x0地址，那就不能从nand启动。
那现在又有一个问题，如果我想在Uboot中擦出nor flash，或者把程序拷贝到nor flash，就必须是nor启动了，
因为nand 启动是看不到nor的。
nor启动就开始从nor的0x00开始，这样自己擦出自己好像不是很对，只有在nor启动的时候把uboot载入到
SDRAM中，然后在SDRAM中运行擦出nor的代码，不知道我的理解对不对。
引用: 引用 6 楼 yashi 的回复:
既然有nor,何必要nand启动？？这不是自己给自己找麻烦吗。
我认为是不行的，如果接nor，就要接到0x0地址，那就不能从nand启动。
也就是说，nand启动的时候是看不到nor的，不能对nor进行任何操作，即使是nand启动把程序拷贝到SDRAM中，然后跳到SDRAM中运行的时候也不能操作NOR。
而NOR启动的时候，首先它是可以操作nand的（nand不属于地址空间），然后如果想要操作NOR，就必须要跳转到SDRAM中，然后回头操作曾经的自己。
汗，你要在加载4K代码的时候操作NOR，那明显不行了。我以为是后期呢。
引用: 引用 10 楼 gooogleman 的回复:
汗，你要在加载4K代码的时候操作NOR，那明显不行了。我以为是后期呢。
如果是后期呢，因为启动就是nand启动的，后期操作nor 应该访问什么地址呢？
引用: 引用 7 楼 jinlking 的回复:
引用 6 楼 yashi 的回复:
既然有nor,何必要nand启动？？这不是自己给自己找麻烦吗。
我认为是不行的，如果接nor，就要接到0x0地址，那就不能从nand启动。
那现在又有一个问题，如果我想在Uboot中擦出nor flash，或者把程序拷贝到nor flash，就必须是nor启动了，
因为nand 启动是看不到nor的。
nor启动就开始从nor的0x00开始，这样自己擦出自己好像不是很对，只有在nor启动的时候把uboot载入到
SDRAM中，然后在…
自己擦除自己没什么不可以，只要你不擦除烧录有uboot的区域就可以了。
额，就是说nand启动的时候nor是没有的（不能访问的），因为此刻前面的0-4K是片内的sram（nand的前4K），操作nor只能nor启动。
不知道是不是这样理解的。
我又看了一下2440的手册，觉得是我想错了。
nand启动的时候，是可以访问nor的，不过地址要从0x8000000开始，也就是对应到bank1
#define ROM_BASE 0x4000000 //地址重定向到0x04000000
#define CMD_ADDR0 *((volatile U16 *)(0x555*2+ROM_BASE))
#define _WR(addr,data) *((volatile U16 *)((addr<<1)+ROM_BASE))=(U16)data
#define _RD(addr) ( *((volatile U16 *)((addr<<1)+ROM_BASE)) )#define CMD_ADDR1 *((volatile U16 *)(0x2aa*2+ROM_BASE))
从代码看出，芯片从NandFlash启动时，nGS0的其实地址实际上映射到了0x0400_0000
所以在NandFlash启动的过程中，访问NorFlash要从0x0400_0000地址开始访问。
#define _WR(addr,data) *((U16 *)(addr<<1))=(U16)data
#define _RD(addr) ( *((U16 *)(addr<<1)) )
#define _RESET() _WR(0x0,0xf0f0)
作为对照，这个是Samsung测试代码中，从NorFlash启动的代码。
引用: 引用 16 楼 xajhuang 的回复:
#define ROM_BASE 0x4000000 //地址重定向到0x04000000
#define CMD_ADDR0 *((volatile U16 *)(0x555*2+ROM_BASE))
#define _WR(addr,data) *((volatile U16 *)((addr < <1)+ROM_BASE))=(U16)data
#define _RD(addr) ( *((volatile U16 *)((addr < <1)+ROM_BASE)) )#define CMD_ADDR1 *((volatile U16 *)(0x2aa*2+ROM_BASE))
从代码看出，芯片从NandFlash启动时，nGS0的其实地址实际上映射到了0x0400_0000
所以在NandFlas…
敢问这段代码是从什么地方来的啊？
还有一个问题，因为nor flash是只能像内存一样进行读操作，不能进行写操作，既然我们可以访问nor flash，能不能对nor flash进行擦除或者写入操作，就像uboot那样。
对nand的读写可以通过Nand Flash控制器。
引用: 引用 16 楼 xajhuang 的回复:
#define ROM_BASE 0x4000000 //地址重定向到0x04000000
#define CMD_ADDR0 *((volatile U16 *)(0x555*2+ROM_BASE))
#define _WR(addr,data) *((volatile U16 *)((addr < <1)+ROM_BASE))=(U16)data
#define _RD(addr) ( *((volatile U16 *)((addr < <1)+ROM_BASE)) )#define CMD_ADDR1 *((volatile U16 *)(0x2aa*2+ROM_BASE))
从代码看出，芯片从NandFlash启动时，nGS0的其实地址实际上映射到了0x0400_0000
所以在NandFlas…
“对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。”原来如此。
现在有个问题，这个“地址重定向到0x04000000”，这个重定向的操作是硬件自动完成的吧，也就是说，只要是从nand启动，0x04000000就成为nor的其实地址，不需要软件来控制的？
先谢谢各位了，等问题解决了，加分结贴。
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