[活动] 有奖评论|探秘美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术

EEWORLD社区   2021-12-10 17:15 楼主

【活动详情】有奖评论|探秘美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术

 

作为目前市场上技术极先进的NAND节点,美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上,混合工作负载性能提高达 15%,帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能。美光 1α 节点是目前全球极先进的 DRAM 制程技术,助力数据中心、汽车、智能边缘、移动等领域的应用拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能效果及同类最佳性能。欢迎大家了解美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术,评论还能赢50元京东卡。

 

【活动时间】即日起——2022年3月8日

 

【参与方式】
Step1:进入>> 活动详情页,阅览美光 【176层3D NAND】和 【1a DRAM】相关资料技术;
Step2:进入页面 【评论区】发表不少于30字的评论(选型、难题等等),谢绝抄袭。

 

【活动规则】
1. 每人可评论1次,评论前请认真填写并提交参与表单;
2. 每人仅有1次获奖机会,多次注册账号、资料不详、抄袭等均视为无效;
3. 活动结束后,根据评论内容质量,选出30人赠送50元京东卡1张。

 

【礼品设置】

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