[求助] 原理图——这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗？

 在网上看到这个电路图，说是有问题的电路，Q1容易烧。

评论区有以下看法：

1.R7电阻阻值过大，导致Q2开启过慢，导致Q1不完全导通时间过长进而烧毁。

2.Q1栅极和Q2漏极之间没有限流电阻，导致导通电流过大，进而烧毁Q1。

下面是我的问题：

1.Q2这个管子什么时候用MOS，什么时候用三极管，这个有什么讲究吗？

      （个人看法：像图中驱动信号是低压的情况，是不是用三极管会更好）

2.R7阻值10k会不会太大，这个栅极电阻怎么取值合适？

     （个人看法：10k感觉还是大了点，会影响Nmos导通速度吧？）

3.R8的左边接R7的左侧和右侧会对电路功能有影响吗？

    （个人看法：接右侧感觉更合理也更常见，接左侧好像也没问题）

4.Q1栅极和Q2漏极之间如果加限流电阻，这个电阻多大合适？

    （个人看法：P=U*U/R,电阻小了功耗大，封装也要考虑选大的）

    （电阻大了要注意和R4形成分压，要保证GS电压满足Q1饱和导通）

以上是我对这个电路的问题和看法，不知道这些思路是否合理，或是考虑不全面，欢迎评论区指正和分享一些经验！

『这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗？』

Q2使用双极型三极管或场效应三极管都可以。

.R7阻值10k太大，会造成驱动MOS管开和关力不从心，驱动电压上升缓慢，因为MOS管内有米勒效应

几十欧都行了，还要看具体MOS管或电路情况了

关于评论区的看法可未必。

首先，Q2开启慢未必就一定烧Q1，必须考察开启暂态的耗散功率积，然后与管子本身的承受力和散热条件进行比较方可获知，不可一概而论。有些场合下，为了抑制上电浪涌，反而要刻意令Q1的导通变慢。

其次，栅极没有串电阻也未必会烧管。就楼主电路而言，Q2的开启较慢，并不会导致Q1栅容放电的浪涌。

关于楼主的问题：

1、你的看法正确。如果驱动电压较低，需要选择低开启电压的MOS管，而低到一定程度，显然双极型晶体管可能更适用。不过，双极型晶体管需要较大的驱动电流，前级如果不能提供但能保证某型号MOS管的开启电压，显然这时还是MOS管更合适。

2、栅极电阻一般选数欧姆到数十欧姆量级，不过还得看应用需求和设计目的。

3、就楼主电路而言，R8应该接在R7之前即图中的左侧，否则与R7构成分压，MOS管的开启门限电压就悬了。如果不考虑门限电压问题即驱动电压分压后也可满足Q2的开启门限电压要求，且R7、R8临近于MOS管布置，两种接法则等效。毕竟MOS管的输入阻抗很高，R7、R8的阻值与之相比对地阻抗可以认为没有差别。但如果R7与Q2间距较远，中间存在长线连接，那么R8就应该布置在Q2旁，显然这时就只能接在图中的右侧了。

4、关于Q1的栅极电阻，如果Q2为快速导通设计，那么选择如前2所述。因该电阻的阻值远小于R4偏置电阻的阻值，所以分压问题可以忽略，而且还可以接在内侧，分压问题干脆不存在了。至于功耗问题，楼主电路一般多用于电源开关、负载开关之类，此为“一锤子买卖”，无所谓的。如果工作频率较高，那必须结合后级电路整体分析，性质可能就变了。

MOS管工作电流大，内阻小，用在大电流的开关控制中。三极管用在小电流 的场合.

MOS管是电压控制器件，偏置电阻可以用更大些，10K的电阻用的太小了.

老师的思路太清晰了，有种醍醐灌顶的感觉！谢谢老师！