[讨论] 氮化镓

什么是氮化镓？
氮化镓是一种二元 III/V 直接带隙半导体，非常适合能够在高温下工作的大功率晶体管。自 1990 年代以来，它已普遍用于发光二极管 (LED)。氮化镓发出蓝光，用于蓝光光盘读取。此外，氮化镓用于半导体功率器件、射频元件、激光器和光子学。未来，我们将在传感器技术中看到 GaN。

2006 年，增强型 GaN 晶体管（有时称为 GaN FET）开始通过使用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在标准硅晶片的 AIN 层上生长一层薄薄的 GaN 来制造。AIN 层充当衬底和 GaN 之间的缓冲层。
这种新工艺使氮化镓晶体管能够在与硅相同的现有工厂中生产，使用几乎相同的制造工艺。通过使用已知的工艺，这可以实现类似的低制造成本，并降低采用性能大大提高的更小晶体管的障碍。

为了进一步解释，所有半导体材料都具有所谓的带隙。这是固体中不存在电子的能量范围。简单地说，带隙与固体材料的导电能力有关。氮化镓的带隙为 3.4 eV，而硅的带隙为 1.12 eV。氮化镓更宽的带隙意味着它可以承受比硅 MOSFET 更高的电压和更高的温度。这种宽带隙使氮化镓能够应用于光电大功率和高频器件。

与砷化镓 (GaAs) 晶体管相比，能够在更高的温度和电压下工作，这也使得氮化镓成为微波和太赫兹 (ThZ) 器件的理想功率放大器，例如成像和传感，上述未来市场

隙为 1.12 eV。氮化镓更宽的带隙意味着它可以承受比硅 MOSFET 更高的电压和更高的温度。这种宽带隙使氮化镓能够应用于光电大功率和高频器件。