[讨论] 电路中的这种负压模块是什么道理

下面图中是一类典型的驱动芯片IC，想知道虚线框的负压模块是什么原理？

这是一个整流电路。该整流电路由于芯片OUT端的驱动，在电容CZ两端产生左正右负的电压，故称其为负压模块。

整流电路由于芯片OUT端的驱动，在电容CZ两端产生左正右负的电压，这个怎么理解？

能不能详细讲一下工作原理

OUT端输出的是低电平为零，高电平近似为VDD的矩形波。MOS管门极向右看去是一个电容，该电容另一端接地。

假定CZ和MOS管门极电容开始时均不存储电荷。

OUT端由零变成高电平，该高电平将在CZ、RON和MOS管门极电容之间分压，CZ被充电，方向是左正右负，MOS管门极电容被充电，方向是上正下负，MOS管导通。

OUT端由高电平变成零，CZ两端电压不能突变，左端电位为零，右端显然是个负电压。

与Dz 没有关系？

这个负压模中有电容和二极管

Dz起什么作用 

『与Dz 没有关系？』

当然有关系，没有了整流管，怎么能叫整流电路？

注意5楼那段话。第二句说的是OUT端由零变成高电平。此过程中Dz因反向而没有电流，OUT高电平输出的电流为Cz和MOS管门极电容充电。第三句说的是OUT端由高电平变成零，此过程中MOS管门极电容放电(不放电MOS管如何关断？)，放电电流流经Dz，此时Dz正向导通。

当然，OUT端由高电平变成零，MOS管门极电容放电过程中，Dz导通，MOS管门极电容放电电流也会流过Cz。但此过程中Dz两端电压仅为一个PN结压降，此过程中Cz放掉的电荷量比前一阶段充电电荷量要少得多。

老师在开始讲这个工作原理，开始为什么没有Dz的说法呢

这个Dz为什么在这里是整流呢

难道这种负压值不是被Dz正向电压钳位吗

请教老师，为什么这里是整流电路？

在Cz两端应该是Dz稳压管钳位吧

『请教老师，为什么这里是整流电路？』

这确实是整流电路。不过，绝大多数教材里面不会讲到。

通常教材里面讲的是半波整流、全波整流和桥式整流，某些书里面会讲到倍压整流。其中半波整流应该称为串联整流，因为整流管和负载(包括滤波电容)是串联关系。但首帖电路整流管和负载(包括滤波电容)是并联关系，这种电路，可以称为并联半波整流。

为说明这是并联整流，那要画两幅图才能够讲清楚。且待我把图画出来再说吧。

图(1)

上图是最基本的半波整流电路，其负载R两端电压方向是上正下负，输出电压忽略二极管压降的话为信号源S两端交流电压的峰值(无论S输出的是正弦波还是矩形波)，条件是S内阻足够小，RC时间常数相对于S的周期来说足够大。

图(2)

把图(1)的二极管和电容位置调换一下，得到图(2)。图(1)中二极管D与负载R是串联关系，但图(2)中二极管D与负载R是并联关系。

图(2)同样可以实现整流，R两端直流电压仍然是信号源S两端交流电压的峰值。

此电路假定初始时刻C两端电压为零。第一个正半周S电压将通过C施加到R上，D截止，R两端电压波形就是S正半周波形。第一个负半周S将通过D对C充电，C两端电压方向是左负右正，C将充电到S的峰值。第二个正半周S电压依然通过C施加到R上，这将使C轻微放电，但放电电荷量比第一个负半周S通过D对C充电量小得多，因为R足够大，而D的内阻接近于零，可以忽略。第二个负半周重复第一个负半周动作，S通过D为C充电。第三、第四……个周期动作与第二个周期相似。注意C两端直流电压为S交流电压峰值，左负右正。

所以，R两端电压波形与图(1)相似。每个周期的负半周，S通过D为C充电，每个周期的正半周，S两端电压与C两端电压叠加施加到R上。

图(3)

如果在图(2)中R两端并联一个电容，则成为图(3)。图(3)中我们把D上下对调，这没有关系，只影响R两端电压的方向。

图(2)中的C在图(3)中标注为C1，新并联在R两端的电容标注为C2。一般要求C1.>>C2。

C2并联在R上，只会使R两端纹波更小一些，对整个电路工作没有其它影响，因为R两端本来就是直流电压。

注意：图(3)就是你首帖的图忽略ROFF、RON、DOFF的结果。图(3)中的S，就是首帖图中OUT与地之间电压。图(3)中的C1，就是首帖图中MOS管门极对地电容。图(3)中的C2，就是首帖图中CZ。图(3)中的D，就是首帖图中DZ。图(3)中R两端电压是上负下正，对应首帖图中CZ两端电压是哪个方向，自行判断。

把图(3)看清楚，并且和首帖图元件一一对照清楚，就知道不是 “Dz稳压管钳位” 了。