[求助] MOS控制比较高的电压时为什么需要慢开通？

图片描述：

1路稍大的电阻和pF级别电容使MOS慢开通。

2路小电阻和二极管提供低阻抗放电路径，使MOS快关断。

（注：这个mos上端是变压器的原边线圈，是整流桥过来的310V电，这是个控制反激隔离电源的管子）

我的问题：

1.为什么要使管子导通慢呢？这样米勒平台不就长了吗？快开快关不好吗？

2.看资料说是控制高压时如果dV/dt太大容易振荡，但是快关不也是dV/dt很大么，快关就不振荡了？

怎么理解这个应用场景需要慢开快关呢？

【MOS控制比较高的电压时为什么需要慢开通？】

这个问题，需要连同反激工作方式还有变压器一起考虑。

反激电路中的变压器，初级总有一定分布电容，另外还有次级反射到初级的电容(包括整流二极管电容)。当MOS管从关断进入导通时，变压器初级分布电容和次级分布电容要充电，显然MOS管中瞬时电流会很大，有可能超出MOS管允许的峰值电流，且此时MOS管功耗也很大。如果开通稍缓慢，分布电容充电电流峰值会小一些。

当然，从关断到导通这段时间拖得太长，也是不允许的。所以，该电容只能是pF级别，稍稍缓慢一点点而已。

在UC3842之类反激专用控制芯片的说明书里面，特别强调MOS管从关断到导通的这个电流尖峰。该电流尖峰有可能使电流环控制误动作。所以在逐周期电流取样电路中特别插入一个RC低通滤波，目的就是让这个电流尖峰不会影响逐周期的电流控制误动作。

了解了，您的解释让我联想到了这个电路。

也为了防止开通瞬间电容充电导致电流过大 ，应该也是一个道理。

看了下图纸，电流采样到UC3845的Isense脚线路上确实有RC低通电路，学习了！

要考虑G极的驱动电阻，此增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率，，，

MOS管开关比较慢的开关速度，对EMI有好处，

是的，慢开通有利于过EMC

大功率开关电源的通病。

典型的load switch电路，很多load switch都有介绍软开