再看load switch 时候，想不明白

选择高边还是底边的依据是什么？

rohm给的解释是这样的：

https://www.rohm.com/electronics-basics/ipds/high-side-and-low-side-drive

Usage examples for high side and low side switches

IPDs incorporate a high side switch for the upper circuit and a low side switch for the lower circuit with respect to external loads, utilizing a circuit design optimized for each location.
As shown in the figure at left below, in a circuit where various loads are connected to a single power supply voltage, such as in a vehicle where the battery voltage is fixed and body connected to ground, the output can easily become grounded, making a high-side switch more suitable for detecting abnormal conditions such as ground faults.
Conversely, low side switches are ideal for circuits in which loads are placed at various power supply voltages as shown in the figure at right below. The low side switch operates by applying an input voltage to the gate and connecting the MOSFET Source to ground. This control scheme is the same as with single MOSFETs, making it easy to replace individual MOSFETs.

名为 How to Choose Between High-side and Low-side Switching

网址：https://www.elektormagazine.com/news/high-side-low-side-switching

给出的解释是，只需要常开或者常闭的选高边，需要PWM控制的选低边

然后看了TI的文章，他对高边和底边选型是以下

来源：11ways to protect your power path

大概就是底边保护比较少，你们买高边

然后我又去看了ST，他的底边保护是很全的 VNL5030 网页

似乎高边能做的底边都能做，那么我怎么去选是高边还是底边

@maychang 老师有空帮忙看看

使用你的名词【高边开关】和【底边开关】。

使用高边开关，好处是负载有一端接地，底边开关负载无法接地。

N沟MOS管和P沟MOS管相比较，N沟MOS管耐压更高，电流容量更大，导通电阻也小，所以应尽量使用N沟MOS管。但若使用N沟MOS管做高边开关，MOS管的门极需要驱动到比电源正端更高的电位，也就是说需要一个辅助电源作为驱动电路之用，比较麻烦。底边开关则不存在这个问题。

电池供电的，比如汽车上电池供电，手电筒的
适合高端接地，电池负极即地，高端开关容易检测故障异常

低侧接，在其他电源供电的时候，电源的负极不一定等于地，就是电源的负极，与接地不同。

还有情况是需要在低侧接地来保持信号的参考点。

因为地这玩意，在多电源系统中就不是简单的分正负，而是公共端。

关键在于地回路在应用中的意义。对于必须接地的应用，只能使用高边控制。如果没有这个要求，则根据控制信号的特性来灵活选择，原则是成本优先。

高边开关里面基本都有电荷泵，驱动NMOS不成问题，

这样N和P的MOS就差不多了

但对负载来说没啥区别啊，反正是1控1的

这种解释比较合理

其实高边和底边都是共用一个com 公共端

另外故障异常表现为，负载电流异常的话，底边也是能够检测的

我觉得这个解释更加合理一些，看功能其实差别不大