[讨论] 怎么消除这个负50V的负脉冲以保护光耦？

刚才又想到一个方案，大家帮忙看看方案二是否合理。

方案一中二极管的耐压要求LOCK_PULSE的负峰值，图中标注为-50V，并不算高，一般二极管都可以达到这个耐压值。

方案二中二极管和光耦中发光二极管可以说是互相保护。

是的，相互钳位，我也觉得方案二好一点，所以现在就用洞洞板搭了电路准备验证是否可行。

无论方案一还是方案二，都应该使用高速二极管，例如1N4148之类。

1和2都可以，如果可以的话可以一起用。

根据信号频率，合理选择管子，可能要用快管，

方案二，负半轴空耗电不可取；方案一，限流电阻应该可以再大点

1，感觉驱动继电器的话10K电阻大了点，如果是驱动一个发光二极管 搞个10K，20K，47k估计可以保证亮度，如果是驱动继电器，看4.7k左右更易达到饱和吧。具体可以细算一下。

2，方案一，如果你感觉光耦二极管反向电压大了，可以再并个电阻（大点的，省得正向的时候分掉电流太多，让光耦 反向时电压在6V以下），可能不并也没关系。反正电流都那么小了（有了反向二极管）。不过没实验过。

    方案二：负脉冲有二极管钳位。反向也有一些功率损耗。

串或反向并联二极管都可以，功能上二者等效，现在的二极管耐压也完全不是问题。对于脉冲信号，用串联二极管的办法更好，这样反向时无电流。对于正弦等模拟信号，反向并联更好，死区较小。

7楼不亦心说方案二负半周电阻R1空耗电，这是个问题。不过假定输入是对称方波，那负半周R1耗电为0.125W，这个耗电一般还可以接受。

”怎么消除这个负50V的负脉冲以保护光耦“

第一种方案好一些。