[讨论] 阅读打卡第二站：芯片的趣味历史--《了不起的芯片》

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本次是《了不起的芯片》阅读打卡第二站，跟帖回复作者提出以下问题，作者温戈助力读书打卡题目：

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？
2、PN结有什么特性？
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？
4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？
5、什么是异构芯片？

本次一起读书的小伙伴们，第二站打卡，跟上啦：

@传媒学子
@eew_V04Cyi
@lux168
@秦天qintian0303
@qinyunti
@luke7
@lll00214
@ddllxxrr
@zhangjsh
@陈露蓉

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？

N型半导体 参杂第5主族元素形成，电子是载流子

P型半导体 参杂第3主族元素形成，空穴是载流子
2、PN结有什么特性？

反向截止的特性
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？

贝尔实验室
4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？

每两年一次的工艺制程和架构更新，Tick年升级工艺制程，Tock年升级微架构。
5、什么是异构芯片？

使用不同工艺制程，不同功能，不同指令集架构的裸片封装到一颗芯片内，组成一个计算系统。

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？

磷，砷，锑作为杂质惨杂到硅中制成N，硼，镓，铟作为杂质掺杂到硅中制成P

2、PN结有什么特性？

单向导电的特性
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？

贝尔实验室

4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？

每两年一次的工艺制程和架构更新
5、什么是异构芯片？

将不同功能，不同指令集的芯片封装诚一个芯片

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？

N型半导体：最外层具有5个电子的第5主族元素作为杂质掺杂到硅中

P型半导体：最外层具有3个电子的第3主族元素作为杂质掺杂到硅中
2、PN结有什么特性？

反向截止的特性
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？

贝尔实验室
4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？

每两年一次的工艺制程和架构更新
5、什么是异构芯片？

将不同工艺制程，不同功能，不同指令集架构封装到一颗芯片内

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？

N型半导体：最外层具有5个电子的第5主族元素作为杂质掺杂到硅中

P型半导体：最外层具有3个电子的第3主族元素作为杂质掺杂到硅中
2、PN结有什么特性？

反向截止的特性
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？

贝尔实验室
4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？

每两年一次的工艺制程和架构更新
5、什么是异构芯片？

将不同工艺制程，不同功能，不同指令集架构封装到一颗芯片内

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？

根据掺杂元素的不同，半导体可分为P型和N型半导体。P型半导体是指空穴作为载流子，多通过掺杂第三主族元素硼等；N型半导体是指电子走位自流子，通过掺杂第四主族元素磷等来制成。
2、PN结有什么特性？

PN结有单向导通、反向截止的特性，而引申来讲，它作为半导体也会具有热敏特性，光生伏特效应，光电导效应，整流特性
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？

贝尔实验室
4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？

tick年升级工艺制程，tock年升级微架构
5、什么是异构芯片？

凡是将两种不同芯片通过封装、3D堆叠等技术整合在一起的过程，被成为异构整合，这种技术做出的芯片，称为异构芯片。

1、什么是P型半导体，什么是N型半导体？

N型半导体 参杂第5主族元素形成，电子是载流子      

P型半导体 参杂第3主族元素形成，空穴是载流子

我做的第一支整流二极管的N区参杂就是用的金锑合金片而P区参杂就是用的纯铝丝，排列顺序是在石墨模具中放入一片金锑合金片；硅片；铝丝，在高真空环境下高温下熔合。
2、PN结有什么特性？

反向截止的特性
3、第一个点触式锗晶体管是谁发明的？

贝尔实验室
4、英特尔推出的Tick-tock战略是什么？

每两年一次的工艺制程和架构更新，Tick年升级工艺制程，Tock年升级微架构。
5、什么是异构芯片？

使用不同工艺制程，不同功能，不同指令集架构的裸片封装到一颗芯片内，组成一个计算系统。

非常好的问题。

1、P型半导体是指掺杂有三价杂质（如硼）的半导体材料，其中电子数目较少，形成空穴（正电荷载流子）为主要载流子。N型半导体是指掺杂有五价杂质（如磷）的半导体材料，其中电子数目较多，形成自由电子（负电荷载流子）为主要载流子。

2、PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。它具有以下特性：

- PN结具有单向导电性，即在正向偏置时，电流可以流过PN结，而在反向偏置时，电流几乎不流动。

- 在正向偏置时，P区的空穴和N区的自由电子会向PN结区域扩散，形成耗尽层，耗尽层中没有可移动的载流子。

- 当正向偏置电压增加到一定程度时，耗尽层会变窄，载流子开始通过PN结，形成正向电流。

- 在反向偏置时，由于耗尽层的扩展，形成一个高电场区域，阻止载流子通过PN结，几乎没有电流流动。

3、第一个点触式锗晶体管是由德国物理学家Walter H. Brattain和John Bardeen在1947年发明的。他们的发明奠定了晶体管技术的基础，为后来的集成电路和现代电子技术的发展做出了重要贡献。

4、Tick-tock战略是英特尔公司在2006年提出的一种工艺和架构创新策略。该战略的目标是在每个工艺代（Tick）中通过工艺改进提高处理器性能，然后在下一个工艺代（Tock）中通过架构创新提高性能。这种交替的方式使得英特尔能够在每个工艺代中提供更高的性能和更低的功耗。

5、异构芯片是指由不同种类的芯片组成的集成电路。它可以包含不同的处理器、存储器、传感器等功能单元，这些单元可以采用不同的制造工艺和技术。异构芯片的设计可以根据不同的应用需求选择最适合的芯片组合，从而提供更高的性能和更低的功耗。异构芯片在人工智能、深度学习等领域有广泛的应用。

我是eew_V04Cyi,谢谢！