直播主题：安世半导体先进 SiC MOSFET 助力提升 EV-Charger 和 OBC 应用能效
直播讲师：龚先定先生 Nexperia 中国区市场拓展资深经理
FAQ详情：
1、什么时候SiC可以全面取代IGBT？
A：超过2022年IGBT近80亿美金的市场。
2、SiC MOSFET1200V/40主要用于哪些领域
A：今天的演讲将覆盖这一块，主要在10KW以上的功率市场，包括太阳能、EV Charger, OBC，UPS，储能等。
3、SiC在车上有哪些应用产品
A：主要包括OBC，和Traction Inverter (主驱)
4、Nexperia SiC MOSFET与硅材料相比，具有哪些优势
A：高频高效，高耐压，高可靠性。 可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。
5、SiC半导体方案，在散热方面有哪些处理方式？
A：目前还是主流功率器件散热处理方式基本类似。风冷，水冷都有。
6、请问一般需要多少的驱动电压
A：一般是在15V左右.
7、安世SIC MOS 的特点，与主流品牌的产品对比的优劣势？
A：较小的电阻温度偏移，Vgsth
8、安世的SiC MOSFET比较有优势的点有哪些？
A：nexperia SiC mosfet有比竞争对手较小的Rds随温度变化，Vgsth变化范围小，一致性好等优势
9、SiC MOSFET按照栅极沟道形状可分为哪些类型
A：主要垂直和平面两种
10、SiC Mosfet和IGBT的门极驱动芯片可以共用吗？
A：SiC Mosfet驱动对CMTI要求比IGBT要求要高，负压的要求也是有要求，要根据实际应用IGBT驱动的选择评估是否满足需求。
11、有没有成熟的OBC应用方案？
A：目前主流OBC 6.6kw和11kw以及22kw，1200V SiC mosfet 都有成熟应用
12、安世SiC MOSFET的导通阻抗一般在多少范围内？
A：目前规划20mΩ,40mΩ,80mΩ,160mΩ四个规格。20mΩ，40mΩ优先量产
13、市场上SiC MOSFET 进口与国产品牌众多 安世SiC MOSFET优势在哪呢？
A：感谢您的问题，简单强调一下，我们的产品有4大特点：Rdson随温度极低漂移特性，安世的产品有非常好的GATE CHARGE和CHARGE RATIO性能，LOW VTH SPREAD, 以及最小的体二极管Vf；同等标称Rdson产品在实际工况下，一方面能提供极高的效率，远远优于绝大多数的竞品，另一方面为并联设计提供了极高的可靠性和鲁棒性
14、SiC Mosfet的开关频率是否比传统MOS要高？
A：是，SiC MOSFET支持超快的开关速度和超过100V/ns和10A/ns的电压和电流变化工作
15、请问一下：如何申请一下样品
A：关于样品，请留下项目信息和联系方式。后面会有相关人员联系到你。
16、碳化硅(SiC)二极管和Si二极管相比，有哪些优势呢？
A：零正向和反向恢复，开关性能不受温度影响，高IFSM能力，低泄漏电流
17、SiC MOSFET除了应用在EV-charger,obc在移动备用电源或者太阳能方面应用有优势吗
A：1200V IGBT的应用有明显的优势，在开关以及导通损耗有明显降低，更好的高温稳定性，在Solar以及储能有应用。
18、SiC MOSFET的导通电流最大是多少？
A：以安世半导体1200V/40mR MOS NSF040120L4A0为例，导通电流25度最大为66A, 100度为48A，脉冲模式下可以到160A。
19、如何更好的选型?
A：请根据项目应用联系我们相关的技术支持
20、SiC MOSFET目前有那些应用场景？
A：储能，EV charger， OBC以及DCDC等.
21、SIC MOSFET的集成二极管的正向导通电压一般是多少？
A：安世半导体SiC MOSFET 体二极管正向导通 <4V [Ids=25A, 85°] 所以对标产品中属于最小的，其他竞品一般在5V以上。
22、安世半导体会有SIC Driver产品搭配安世的SIC MOSFET嘛
A：安世有产品部门后续会开发SiC driver产品，目前可以配搭市面主流的一些SiC
23、安世半导体的碳化硅用在电机驱动器上时，雪崩击穿特性怎么样？
A：感谢提问，我们目前即将发布的产品并非针对电机驱动应用。还请后续关注将来我们会出的SiC MOS模块产品。
24、安世在深圳有哪些代理商？
A：包括Avnet, Arrow, WPI, Future 等，更全的代理商列表请参考我们官方主页，谢谢！
25、目前1200V的MOS主推哪些型号？
A：NSF040120L4A0, NSF080120L4A0, NSF040120L3A0, NSF08 0120L3A0,
26、SIC MOSFET在电动汽车的底盘电子控制器中适用吗？
A：SiC MOS 汽车中主要应用与高压应用，电动汽车主驱与OBC
27、SIC MOSFET选型规则主要是什么？
A：根据项目选取封装类型，，选取RDSON，选取耐压BVDSS，由驱动电压选取VTH等 。
28、规格书后续是否会出VGS 18v 曲线数据？
A：需要等专门针对18V的2000hrs可靠性测试完成后，才会更新18V的曲线。目前，先以15V做设计是比较稳妥的。谢谢！
29、Sic较GaN优势在哪
A：与GaN相比，SiC热导率比GaN在高温应用领域更有优势；SiC单晶的制备技术相对要更成熟。因为材质特性差异，目前的SiC材料比GaN导热性能更好，天生可以应用于更高的功率范围。SiC适用于 500W-10MW，而GaN一般最大在100~200KW。
30、SiC功率半导体模块封装在车载充电机（OBC）电路中的应用前景怎么样？
A：目前SiC单管已经有足够好的整体性价比。SiC功率模块紧紧在需要进一步减小体积，或是三合一、四合一的场景能体现出优势。此外，SiC单管会通用性更好。
31、电动汽车的加速普及对于未来市场的发展有哪些帮助？
A：随着电动化普及，已经碳中和的推进，SiC应用一定越来越广。目前整体市场全球预计2022-2028 CAGR=31% [根据Yole 报告]
32、直流快充基础设施如何迎来更高效率的升级改造？
A：SiC 的推进，对于超高功率直流快充装，单模块目前要求到50KW，甚至60KW, SiC方案成为了必须。冷却方式也有开始导入水冷方式。
33、产品在 EV-Charger 中的应用效果如何？
A：可以显著提高功率已经功率密度，甚至到达98%以上（以客户的30KW方案为例）
34、Nexperia SiC MOSFET 产品有哪些特点和优势？
A：1）极小的Rdson温度漂移（40%）2）极低的Vgsth 分布可以有效均衡并联电流，提高并联应用可靠性 3）优良的Qg, Qgd/Qgs <1, gate charge 特性好，开关损耗小 4）最小的体二极管Vf。整体产品实际工况下导通内阻小，并联特性好，特别适用于现在的 EV Charger, 太阳能微逆变， OBC 等应用。
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