[求助] 利用两个反向串联的IGBT实现对220v线路的通断

各位大佬，我想请教一下，下面的电路图需要怎样改进才能满足我的要求，其中R1模拟用电设备，利用单片机输出高低电平控制两个晶体管导通与关断再控制IGBT的导通与关断。

【我想请教一下，下面的电路图需要怎样改进才能满足我的要求，其中R1模拟用电设备，利用单片机输出高低电平控制两个晶体管导通与关断再控制IGBT的导通与关断。】

用反向串联的两个IGBT控制交流，IGBT必须具有内部反向并联的二极管（注意不是所有的IGBT都有内部反向并联的二极管，具有内部反向并联二极管的IGBT的二极管其通流容量也未必等于IGBT通流容量），IGBT的驱动信号必须“悬浮”，即必须以两个IGBT相联接的发射极为驱动信号的“地”。

功率MOS管内部的反向并联二极管是生产过程中自动生成的，通流容量等于MOS管通流容量。所以用两个功率MOS管反向串联来控制交流，比较简单。但两个反向串联的功率MOS管控制交流，其驱动仍然必须“悬浮”。

首帖图中，要驱动两个IGBT，12V电源的“地”必须联接到两个IGBT的发射极。图中V2为3.3V，这么小的电压不足以使两个IGBT充分导通。如果S6是单片机输出信号，那么单片机输出信号必须先经过一级放大，幅度达到10V或者更高一些，才能够驱动IGBT。如果单片机与驱动电路之间没有隔离，那么单片机的电源也必须“悬浮”。

你这个电路，不如采用光耦可控硅。市场上有固态继电器成品出售，用起来很方便。

如果用继电器工作量就太小了，不满足，而且我是需要设计一个智能断路器

第一句话的意思是直接将12V电源的“地”接在两个IGBT之间吗？单片机输出的高电平是要放大和隔离了，我还没有放上去。

建议：

1、尽量采用两个反向串联的功率MOS管，不要使用IGBT。

2、控制220V交流，不需要非常快的速度。那么，两个MOS的驱动可以采用小高频变压器，变压器次级加整流滤波，滤波的时间常数远小于工频交流周期。变压器初级可以用个三极管或者两个三极管推挽，由单片机控制。这样，单片机已经与两个MOS隔离，且不必另加悬浮电源。

好的，谢谢你的建议！

如果不想使用小变压器来隔离，那就要使用光耦。单片机可以直接驱动光耦，但光耦驱动MOS，必须另加一个悬浮的独立电源。

我感觉我基础太差了，专业术语都不懂。

脑海中没有电路浮现

对于小白来说应该怎么快速入门

【对于小白来说应该怎么快速入门】

复习《模拟电路》，必要时复习《电工学》教材。

建议是使用双向可控硅，价格便宜，可控硅的电流比较大，而且控制较为简单。只要一个引脚使用不同方向的PWM就可以。

好的，我去了解了解

好

这个问题坛里有三个相似的问题了，解决的方法都是一样，说明看贴不认真了，我维修的功率放大器的驱动板就是12V的方波去控制大功率的MOSFET管，

不怕您笑话，我没有找到相关的

用单向电子器件控制交流电路的通断，包括双极型三极管、MOS管、IGBT……可以用一个整流桥，单向电子器件接整流桥的正负输出端，整流桥的两个交流端接入交流电路，即可用这个单向电子器件控制交流电路的通断。