关于2410的SDRAM初始化流程疑问

我原来在用atmel9200初始化的时候，记得sdram初始化需要先等待多少us时间，然后预充电，然后写8次刷新什么的，最后写模式寄存器，详细的过程记不清了。

但是这次用s3c2410，网上说SDRAM初始化只需要把BWSCON，BankCON6，Refresh……这几个寄存器写个值就可以了，

请问2410的SDRAM初始化只需要设置几个寄存器吗？为什么没有像9200那样的什么等待、预充电，刷新之类的操作？网上搜得sdram操作过程也应该具备这几个过程

顶起来

使用SDRAM，这需要设置13个寄存器。这些寄存器很多是类似的:
1．BWSCON：对应BANK0-BANK7，每BANK使用4位。这4位分别表示：
    a．STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0；对于SRAM，此位为1。
    b．WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
    c．DWx：使用两位来设置存储器的位宽：00-8位，01-16位，10-32位，11-保留。
    d．比较特殊的是BANK0对应的4位，它们由硬件跳线决定，只读。
在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM，所以BANKCON6-7与BANKCON0-5有点不同：
    a．MT([16:15])：用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM：SRAM-0b00，SDRAM-0b11
    b．当MT=0b11时，还需要设置两个参数：
        Trcd([3:2])：RAS to CAS delay，设为推荐值0b01
       SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数，使用SDRAM HY57V561620CT-H，列地址位数为9，所以SCAN=0b01。如果使用其他型号的SDRAM，您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值：00-8位，01-9位，10-10位
2．REFRESH(SDRAM refresh control register)：设为0x008e0000+ R_CNT
其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期，占用REFRESH寄存器的[10:0]位，它的取值可如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：
R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) * SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时，SDRAM时钟频率等于晶振频率12MHz；SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，如使用SDRAM HY57V561620CT-H的数据手册上，可看见这么一行“8192 refresh cycles / 64ms”：所以，刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955,
REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
3．BANKSIZE：0x000000b2
位[7]=1：Enable burst operation
位[5]=1：SDRAM power down mode enable
位[4]=1：SCLK is active only during the access (recommended)
位[2:1]=010：BANK6、BANK7对应的地址空间与BANK0-5不同。BANK0-5的地址空间都是固定的128M，地址范围是(x*128M)到(x+1)*128M-1，x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可变的，您可以从S3C2410数据手册第5章“Table 5-1. Bank 6/7 Addresses”中了解到BANK6、7的地址范围与地址空间的关系。位[6]、位[3]没有使用
4．MRSRB6、MRSRB7：0x00000030
能让我们修改的只有位[6:4](CL)，SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况，所以位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)。

只写这几个寄存器就够吗  不需要8次刷新之类的操作呀
sdram的操作规范都是这样要求的 需要8次刷新……

内存控制器会做的。