锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H,该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点,适合用于电源管理。
特点
20V/12A
RDS (ON) =26mΩ(典型值)@VGS=4.5V
RDS (ON) =38mΩ(典型值)@VGS=2.5V
超低漏源导通电阻
超高密度单元设计
可靠且坚固耐用
器件无铅、绿色环保(符合RoHS标准)
应用
电源管理
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