(Ruichips锐骏)RU20D12H 电压20V/12A,采用超高密度单元设计

W阿龙   2024-7-27 10:35 楼主

锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H,该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点,适合用于电源管理。

 

特点

20V/12A

RDS (ON) =26mΩ(典型值)@VGS=4.5V

RDS (ON) =38mΩ(典型值)@VGS=2.5V

超低漏源导通电阻

超高密度单元设计

可靠且坚固耐用

器件无铅、绿色环保(符合RoHS标准)

RU20D12H 0727.png

 

应用

电源管理

 

 

…………………………………………………………………………

锐骏原厂授权代理,如需了解相关问题,欢迎联系咨询。

吴R:19928734273【微信同步】

QQ:3557033601         

回复评论

暂无评论,赶紧抢沙发吧
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 京公网安备 11010802033920号
    写回复