[讨论] 米勒电容对驱动电路设计的影响？

1、以MOS管为例，内部存在寄生电容Cgs、Cgd、Cds，因为寄生电容的存在，所以驱动栅极的过程就是给电容充电的过程;

其中输入电容等于Cgs+Cgd，输出电容等于Cgd+Cds，其中Cgd称为米勒电容;

这三个寄生电容构成串并联组合关系，并且相互影响，关键在于这个米勒电容Cgd，这个电容随着栅极和漏极间电压变化而变化。

2、米勒电容，是指Cgd在开关动作期间引起的瞬态效应，可以看做一个电容负反馈在驱动前，米勒电容两侧是高电压，当驱动波形上升到阈值电压时，mos管开始导通，漏极电压开始下降，通过米勒电容拉低栅极驱动电压，如果驱动功率不足，将会在驱动波形的上升沿阈值电压附近留下一个阶梯。

3、按照这个分析过程，在栅极达到阈值电压时，米勒电容是不是在随着漏极电压的下降而增大？或者是否可以这样理解，当漏极电压在小于栅极电压时，栅极电压只给栅极电容充电，当漏极电压等于到小于栅极电压时，栅极电压不仅给栅极电容充电，而且给米勒电容和漏源电容等效的输出电容充电？

【其中Cgd称为米勒电容】

米勒电容不是这样定义的。

【mos管开始导通，漏极电压开始下降，通过米勒电容拉低栅极驱动电压】

栅极驱动电压不会降低，但栅极驱动电压上升速率会较导通之前降低。

电压和电压的变化，是两回事。

【在栅极达到阈值电压时，米勒电容是不是在随着漏极电压的下降而增大？】

米勒电容与该级MOS电压放大倍数成正比，未必漏极电压下降米勒电容就增大。

【或者是否可以这样理解，当漏极电压在小于栅极电压时，栅极电压只给栅极电容充电】

【小于】可能是你敲错了。我猜你想的可能是【大于】。

不过，改成【大于】也不对。

我在模拟版面发过一篇《米勒电容杂谈》，有兴趣的话，不妨看看。

更早一些，在技术交流版面，我还发过一篇《米勒效应杂谈》，讲得比较详细，主要讲米勒效应是怎样产生的，比前面那篇《米勒电容杂谈》更值得看看。