半导体生厂商上自己的短路测试波形,是有测试条件的
你确定和厂商的测试条件是一样,测试方法是一样的
比如这个测试
类似,动力电池包的短路保护测试。
但测 IGBT的短路保护,因为有结电容,这些电容在短路期间会存储电荷,当短路解除时,这些存储的电荷会影响CE电压的恢复过程,可能导致电压无法迅速回到母线电压的一半。
引用: qwqwqw2088 发表于 2024-9-27 22:18 半导体生厂商上自己的短路测试波形,是有测试条件的 你确定和厂商的测试条件是一样,测试方法是一样的
确定是一样的,用作全桥逆变电路,输出短路在开通时的短路波形
引用: qwqwqw2088 发表于 2024-9-27 22:46 类似,动力电池包的短路保护测试。 但测 IGBT的短路保护,因为有结电容,这些电容在短路期间会存储电荷, ...
不是你这个一个开关管,是上下桥的,1200V的管子,但是这个恢复的时间太长了吧,好像感觉有点不对?