[讨论] SiC与ZVS软开关电路更配！——谈怎么提高ZVS电路效率

我们知道，ZVS的主要目标是在开关器件（如MOSFET或IGBT）处于零电压状态下切换，从而减少开关损耗，使之大幅提高转换效率。但难道这样子就足够了吗？很明显，我们还希望能更进一步的提高，那么该怎么提高ZVS电路效率呢？

从优化电路电路参数角度上，怎么选择谐振元件？如何判断不同需求下该选用哪种拓扑结构？

从改进开关器件的驱动和控制角度上，如何优化驱动电路参数？是否需要采用PWM或PFM控制技术？

从降低固定损耗角度来看，要选择什么样参数的电容电阻？怎么进行散热优化？

以及要不要采用辅助谐振电路，什么情况下需要考虑？

欢迎小伙伴们就以上这些角度或你的个人设计经验来聊一聊，分享分享~

另外再补充一个提高ZVS电路效率的方法，那就是利用新型材料和ZVS结合，比如：

利用快速开关SiC功率器件与漏极至源极吸收电容相结合提高ZVS软开关电路效率和功率密度

Qorvo家给出了这样的答案。感兴趣的可以点进这个链接看看具体的讲解介绍

https://www.eeworld.com.cn/zt/Qorvo_Power/details/7216 

用不用PWM要看下成本要求吧。如果财大气粗当然是上PWM比较好

1、选好谐振点

2、优化开关管的驱动和控制

3、改进电路结构和参数设计

4、考虑散热问题