编址方式（独立编址和统一编址）与结构（哈佛结构和冯.诺依曼结构）有关系吗？

    有些资料上说程序存储器和数据存储器统一编址就是冯.诺依曼结构或普林斯顿体系结构（Freescale的MC68HC05/08），而两者独立编址就是哈弗体系结构(MCS-51)，而到了Microchip，他们说他们的PIC16系列除了采用“哈弗体系结构”（MCS-51），还采用了“哈佛总线结构”。
    ARM7和Cortex-M3都是内存、外设以及Flash统一编址的，但前者是冯.诺依曼结构，而后者却是哈佛结构，何解？
    哈佛结构和冯.诺依曼结构的区别究竟在于程序存储器和数据存储器的编址方式呢，还是取决于程序存储器和数据存储器的数据及地址总线的方式呢？

哈佛结构和冯.诺依曼结构的区别究竟在于程序存储器和数据存储器的编址方式呢

取决于两者

比如说RAM和ROM地址能重叠那就是哈佛,否则就是冯

你的意思就是非独立编址了？但Cortex-M3的RAM和ROM地址不重叠，但是仍然是哈佛啊

我认为冯氏结构与哈佛结构的区别应该在存储器的空间分别上，哈佛结构的数据区和代码区是分开的，它们即使地址相同，但空间也是不同的，主要表现在数据不能够当作代码来运行。(比如51---注)

口线复用，就将它认为成冯氏结构，我认为这样不足取，应该是按照空间是否完全重合来辨别。比如PC机的代空间和数据空间是同一空间，所以是冯氏结构；51由于IO口不够，但代码空间和数据空间是分开的，所以还是哈佛结构