电源管理数据存储设备的选择

 在数据采集中，数据的存储芯片一般有 ＲＡＭ，Ｅ２ＰＲＯＭ，ＦＬＡＳＨ 及 ＮＶＲＡＭ。下面就其优缺点作一比较。
 （１）ＲＡＭ（如 ６２２５６ 等）又称为随机读写存储器，其优点是读写时间短（为ｎｓ 级），可按字节随 机读写。在数据读写量较大的系统中应用频繁。其缺点是保存在其中的数据掉电后将会丢失，所以ＲＡＭ 常常被用来暂存中间数据，而不用来保存最 终结果。
 （２）Ｅ２ＰＲＯＭ（如 ２８１６ 等）称为电可擦除可编程只读存储器，并行 Ｅ２ＰＲＯＭ 管脚封装与同容量的ＲＡＭ 完全兼容，可以直接替换。其优点是既可当ＲＯＭ 使用，又可当作 ＲＡＭ 使用，使得设计更灵活、方便。缺点是数据擦除和写入时间慢，一般为 ｍｓ级，存储单元写入次数有限。
 （３）ＦＬＡＳＨ（快速擦写存储器，如 ２８Ｆ２５６）克服了 Ｅ２ＰＲＯＭ 写入速度慢的特点，写入速度达到 ｕｓ 级，至少可擦写１０　０００次以上，所以常常使用在一 些嵌入式系统中，实现在线编程。
 （４）ＮＶＲＡＭ（掉电不丢失数据型 ＲＡＭ，如 ＤＳ１２３５）除具有ＲＡＭ 的优点以外，还可保证存储在其中的数据 １０ 年不丢失。在供电电压正常时，ＮＶＲＡＭ使用外供电源，此时可以进行数据读写。当外供电压波动出允许范围时，ＮＶＲＡＭ 自保护，禁止对其进行读写操作，通过内部电池供电保证数据不丢失。ＮＶＲＡＭ 的缺点是当单片机程序在运行过程中断时，无法保证存储数据的可靠性。但对带有看门狗的系统，这种概率大大减小。考虑到ＮＶＲＡＭ的成本（ＤＳ１２３５为２５０　元左右）可以采用国内的芯片如 ＢＳ、ＨＫ 系列等。也可自己用 ＲＡＭ 改装。电池可以采用市面上常见的３．６　Ｖ可充电电池，这样，可在系统执行时自动对电池充电。实际运用中还应在电池的充放电回路中串联上适当的电阻（一般为１００　Ω）。另外一种办法是用电容器代替电池，只是放电时间相应缩短了。目前已经有１Ｆ的直流电容器，其充放电无须附加电路，相当方便。由于信号电源在线监测装置对数据的采集速率较高，需要存放的数据量就相应增大，使用Ｅ２ＰＲＯＭ和 ＦＬＡＳＨ 都不能满足要求，所以使用 ＮＶＲＡＭ 是最好的选择。实践证明，使用 ３２ＫＮＶＲＡＭ 时进行数据冗余备份，可以很好的保证数据的安全。