这次应急灯设计的充电部分，我使用的是美信公司的MAX745充电芯片，该芯片采用双环控制，PWM工作频率为300kHz。采用该控制芯片的充电器，外围元件少，充电电压精度高，可对1－4只锂离子电池组充电，并具有锂离子电池组充电所需的全部功能。
MAX745具有锂离子电池组充电所需的全部功能。在不需要任何散热的条件下，恒定充电电流可达4A，充电电压非常稳定，电池两端最大电压误差只有±0.75％。该充电器可以选用廉价的公差为1％的普通电阻设定充电电压，并且可以选用廉价的N沟道MOSFET作开关控制器件。
MAX745采用双回路稳定充电电压和充电电流。采用精度为1％的普通电阻，单体电池的充电电压即可在4.0V—4.4V之间调整。改变串联单体电池数选择脚的接法，该充电器可对1—4只锂离子电池充电，充电器总输出电压误差小于±0.75％。
该控制器最高输入电压可达24V，可对最高工作电压为18V的电池组充电。控制器开关频率为300kHz，因此充电器噪声很小，所用外部元件的体积也很小。
以上是这块片子的大体情况，在美信网站上下了芯片手册，全英文的，来来回回反反复复的看了n遍，并在多次失败的调试过程之后，才慢慢的参透数据手册上的内容。
不得不说，这块片子的性能是极其优秀的了，但是由于缺乏充电电路这方面的设计经验，导致自己走了不少弯路，还有些错误的想法，在调试的时候才慢慢发现纠正了。
首先来看一下它的典型的电路设计吧：
Vin输入范围在0~24V之间，我们用的充电器是18V，可以很好的满足需求，更何况在说明中有“该芯片在不需要任何散热的条件下，达到4A的充电输出”，这意味着什么呢？呵呵，在我调试电路的过程中，一上电，芯片周围残留的松香开始噼噼噼发响冒烟，芯片和Mos管瞬间发烫，立马断电了。这现在肯定是不对了，后来测量发现两个Mos管应该是全烧坏了，芯片不知道，但是不敢再用了，拆下，弄断了一只脚，报废。
还是看看，典型图中需要注意的地方。
1脚 IBAT： 电流取样放大器的模拟电流源输出。详细说明可参考“充电电流监控”一节。
2脚 DCIN：充电器电压输入脚。实际应用中，该脚应接0.1μF旁路电容器。
3脚 VL： 芯片电源。由DCIN脚供电的内部5.4V线性稳压器的输出脚。该脚应外接4.7μF旁路电容器。
4脚 CCV： 电压调整回路补偿脚。
5脚 CCI： 电流调整回路补偿脚。
6脚 THM/ SHDN：热敏电阻取样电压输入脚。该脚也具有关断输出的功能。该脚变为低电平时，充电器将关断。
7脚 REF： 4.2V基准电压输出脚。该脚应外接0.1μF或容量更大的旁路电容器。
8脚 VADJ： 电压调整脚。该脚与REF和GND脚之间外接公差为1％的电阻分压器，设定充电电压可调整10％，不需要采用公差为0.1％的精密电阻，输入电压范围为0V—UREF。
9脚 SETI： 该脚与REF和GND脚之间外接电阻分压器，设定充电电流。
10脚 GND：模拟信号接地脚。
11脚 CELL0：选择串联电池数的逻辑信号输入脚。
12脚 CELL1：选择串联电池数的逻辑信号输入脚。
13脚 STATUS：在稳流状态下，该脚为开漏极MOSFET灌电流输入脚。在稳压状态下，该脚为高阻抗输入脚。该脚应通过1kΩ—100kΩ上拉电阻接到VL脚，该脚也可驱动发光管LED，用灯光指示调整状态，如果不需要此功能时，该脚应悬空。
14脚 BATT：电池电压取样输入和电流取样负输入脚。
15脚 CS： 电流取样正输入脚。
16脚 PGND：电源接地脚。
17脚 DLO： 低端功率MOSFET驱动器输出脚。
18脚 DHI： 高端功率MOSFET驱动器输出脚。
19脚 LX： 接高端功率MOSFET源极。
20脚 BST： 高端功率MOSFET驱动器电源输入端。
1，充电电压调节：
在VADJ脚和REF脚接入电阻分压器，可设定充电电压极限值。REF脚的基准电压为4.2V，VADJ脚电压在0V—4.2V之间变化时，电池充电极限电压变化范围只有±5％。因此，不采用高精度分压电阻，也能满足充电电压精度的要求。分压电阻采用公差为1％的普通电阻，充电电压精度也可达到0.1%以上。电压调整脚VADJ内部接有缓冲器，因此外接分压电阻应具有较大的阻值。当电压调整脚VADJ的电压为UREF/2时，充电电压极限值为4.2V。
当时我就是看了这个公式，没有细看说明手册的描述，将VADJ设成了0。杯具就此发生，导致芯片发烫。
而且后面有说明，推荐典型值R11=100K欧，却被我忽视了。。。
上式中，其实可分为两部分，cell count和方括号内的一坨。cell count用来设置锂电池个数，手册上所说的锂电池是指4.2V的单个锂电，一开始看英文的时候这点想了好久，为什么会这样写，直接给出输出电压的调节方式不就可以了，非要用cell count 来写。
当VADJ=1/2VREF的时候，可以得到标准的单颗锂电池充电电压4.2V，为了简便直接这样设计就可以了，将cell count设为3，就可得12.6V的充电电压，用来对锂电池充电。
cell count由cell0和cell1两脚来设置。方式如下：
将上式变换一下，就得下式了：
2，充电电流设置：
该充电器的充电电流由电流取样电阻的阻值和充电电流设定脚SETI的电压决定。电流取样放大器检测电流取样电阻两端（CS脚与BATT脚之间）的电压。电流取样放大器的增益为6，SET1脚的电压经缓冲并除以4后，与电流取样放大器输出电压比较，因此SET1接REF脚时，可输出满刻度充电电流，满刻度充电电流IFS由下式决定：
在不改变R1阻值的条件下，为了将充电电流设定在满刻度值以下，可根据下式调整SETI脚的电压：
式中
ICHG为充电电流；
UREF为基准电压；
USETI为SETI脚的电压。
3，PWM控制器
电池电压和电流由电流型PWM型DC/DC变换器控制。该控制器通过驱动两只外接N沟道MOSFET，控制输入电源的接通与关断。该控制器通过设定开关电压的脉冲宽度，使充电电流和电池电压保持稳定。采用双N沟道MOSFET，可降低元器件的价格。PWM控制器的核心是一个多输入比较器。该比较器将三个输入信号相加，以决定开关信号脉冲的宽度，从而设定电池电压和电流。三个信号分别是电流取样放大器的输出电压、GMV或GMI误差放大器的输出电压和确保电流控制回路稳定的斜率补偿信号。电流取样放大器的输出电压，通过PWM比较器与GMV或GMI放大器输出较低的误差电压比较。采用电流型反馈可减小电感对输出LC滤波器的影响，从而使电路稳定工作。
4，MOSFET驱动器
MAX745通过改变外接N沟道MOSFET导通与关断的时间，调整电池充电电压和电流。由于高端N沟道MOSFET的栅极驱动电压必须高于输入电源电压，所以必须用充电泵来提高栅极电压。在实际应用电路中，当同步整流MOSFET（MIB）导通时，电容器C7通过二极管VD2充电。由于C7的一端接LX脚（MIA的源极），所以高端驱动器输出脚（DHI）可使高端MOSFET的栅极电压升高到BST脚电压。该脚电压高于输入电源电压，因此可使高端MOSFET导通。同步整流MOSFET(MIB)与普通续流二极管的作用相同，但电压降较低，因此可以提高充电器的效率。从高端MOSFET关断到同步整流MOSFET导通之前有一个死区时间，从同步整流MOSFET关断到高端MOSFET导通之前也有一个死区时间，LX脚与电源接地脚PGND之间（也即MIB的漏极和源极之间）接入肖特基二极管VD1，在开关转换期间，可防止因同步整流MOSFET的体二极管在死区内导通而产生短路电流。如果对充电器的效率要求不高，可以不接二极管VD1，但此时同步整流MOSFET的功耗将增加。因为只有同步整流MOSFET导通时，BST脚外接电容才充电，所以同步整流MOSFET不能用普通的整流管代替，但是为了保证BST脚外接电容器充电，同步整流MOSFET可以用小功率MOSFET（比如2N7002）代替。在这种情况下，大部分充电电流流过二极管VD1，而不是流过同步整流MOSFET。
现在我的充电部分电路还没有正常工作，两片MAX745的片子都玩完了，还在等新片子，希望大家不要犯和我一样的错误，耐心调试，细心观察，认真思考。
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