随着时间的进程，我会把我所得到关于电源和其他的有用的资料和大家分享，不断更新中

wangqingtao 2007-1-12 09:29 楼主

随着时间的进程，我会把我所得到关于电源和其他的有用的资料和大家分享，不断更新中.......

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Re: 随着时间的进程，我会把我所得到关于电源和其他的有用的资料和大家分享，不断更

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Re: 随着时间的进程，我会把我所得到关于电源和其他的有用的资料和大家分享，不断更

电容降压的工作原理易水苦禾发表于 2006-12-15 9:27:00 电容降压的工作原理并不复杂。他的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA，但在电容器上并不产生功耗，应为如果电容是一个理想电容，则流过电容的电流为虚部电流，它所作的功为无功功率。根据这个特点，我们如果在一个1uF的电容器上再串联一个阻性元件，则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全取决于这个阻性元件的特性。例如，我们将一个110V/8W的灯泡与一个1uF的电容串联，在接到220V/50Hz的交流电压上，灯泡被点亮，发出正常的亮度而不会被烧毁。因为110V/8W的灯泡所需的电流为8W/110V=72mA，它与1uF电容所产生的限流特性相吻合。同理，我们也可以将5W/65V的灯泡与1uF电容串联接到220V/50Hz的交流电上，灯泡同样会被点亮，而不会被烧毁。因为5W/65V的灯泡的工作电流也约为70mA。因此，电容降压实际上是利用容抗限流。而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。采用电容降压时应注意以下几点： 1 根据负载的电流大小和交流电的工作频率选取适当的电容，而不是依据负载的电压和功率。 2 限流电容必须采用无极性电容，绝对不能采用电解电容。而且电容的耐压须在400V以上。最理想的电容为铁壳油浸电容。 3 电容降压不能用于大功率条件，因为不安全。 4 电容降压不适合动态负载条件。 5 同样，电容降压不适合容性和感性负载。 6 当需要直流工作时，尽量采用半波整流。不建议采用桥式整流。而且要满足恒定负载的条件。

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4楼破茧佼龙

Re: 随着时间的进程，我会把我所得到关于电源和其他的有用的资料和大家分享，不断更

he呵呵

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5楼 wangqingtao

IC名词解释

IC名词解释

1、什么是MRAM?
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2、光刻：
IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。
3、芯片：
我们通常所说的"芯片"是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。微电子技术涉及的行业很多，包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等，其中又以集成电路技术为核心，包括集成电路的设计、制造。
4、CPU :
CPU( Central Processing Unit )中央处理器。CPU是计算机的心脏，包括运算部件和控制部件，是完成各种运算和控制的核心，也是决定计算机性能的最重要的部件。主要的参数是工作的主频和一次传送或处理的数据的位数。
IT(Information Technology)信息技术。指以计算机为基础的能采集、存储、处理、管理和传输信息的技术。
6、CSP：
CSP（Chip Scale Package）芯片级封装。CSP 封装是最新一代的内存芯片封装技术。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
7、芯片组：
主芯片的类型或具体型号
8、存储器：专门用于保存数据信息的IC
9、逻辑电路：
以二进制为原理的数字电路。
10、IC封装：
指把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。
11、IC工艺线宽： ~ upW4gmQ
线宽：4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等，是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。
12、IC前、后工序：
前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，
这是IC制造的最要害技术。后工序晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。
13、晶圆：
多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大的规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。
14、硅谷：
原指美国西海岸加利福尼亚州的圣他克拉克县。现在硅谷已经成为半导体工业基地，微电子工业基地，高技术集中区的代名词。
15、IC:
IC(Intergerated Circuit) 积体电是将晶体管、电阻、电容、二级管等电子组件整合装至一芯片（Chip）上，由于集成电路的体积极小。使电子运动的距离大幅度缩小，因此速度极快且可靠性高，集成电路的种类一般以内含晶体管等电子组件的数量来分类。
SSI (小型集成电路)，晶体管数
MSI (中型集成电路)，晶体管数 100-1，000
LSI （大规模集成电路），晶体管数 1，000-10，0000
VLSI （超大规模集成电路），晶体管数 100，000
16、IP应用分类：
IP核的应用主要分为以下几类：
微处理器核，包括MPU、MCU、DSP核；
存储器（MEMORY）核，包括RAM，ROM，EEPROM，FLASH和 FERAM等；
数字/模拟混合信号电路，包括A/D，D/A变换器等；
射频（RF）模块；
I/O 接口电路；各种专用算法模块，如信息安全的各种算法模块，通信和多媒体应用的专用算法模块等；
智能电源模块，包括DC/DC转换器等。
17、FPGA简介：
FPGA(Field Programmable Gate Array ) 现场可编程门阵列，它是PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。 ;
FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(Logic Cell Array )这样一个新概念，内部包括可配置逻辑模块CLB( Configurable Logiic Block)、输入输出模块IOB(Input Output Block)和内部连线（Interconnect）三个部分。
18、DSP芯片：
DSP芯片，也称数字信号处理器，是一种具有特殊结构的微处理器。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构，具有专门的硬件乘法器，广泛采用流水线操作，提供特殊的DSP指令，可以用来快速的实现各种数字信号处理算法。
19、IC的分类：
IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。
通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。
20、什么是IC设计?
IC设计是将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，也是一个把产品从抽象的过程一步步具体化、直至最终物理实现的过程。为了完成这一过程，人们研究出了层次化和结构化的设计方法：层次化的设计方法能使复杂的系统简化，并能在不同的设计层次及时发现错误并加以纠正；结构化的设计方法是把复杂抽象的系统划分成一些可操作的模块，允许多个设计者同时设计，而且某些子模块的资源可以共享。

点赞 2007-1-17 19:32