[讨论] 什么是 PCRAM ？

相变化内存PCRAM（Phase Change Random Access Memory）又称PCM （Phase Change Memory）或OUM（Ovonic Unified Memory），是一种新的非挥发性内存，目前尚处于研究阶段，市场上还未出现商业化的产品。

PCRAM的工作原理

提到内存就一定要提到挥发性内存的代表－DRAM，以及非挥发性内存的代表-Flash。DRAM或Flash的工作原理是以电子写入的方式进行纪录资料，并以电子移除的方式进行抹除资料。与DRAM或Flash不一样，PCRAM并不是使用电子进行资料的纪录与抹除，PCRAM使用相变化材料（通常是Chalcogenide材料，现有多种材料被研究）作为记忆单元，此种材料具有适当的晶相转换温度，在控制加热参数与散热条件之下，可以改变材料的结晶状态而衍生不同的电阻值，藉此可以用来记录0或1的讯号。藉由调整电流的大小与脉冲宽度下，可以产生不同的结晶状态，而达成记录或抹除资料的功能。