#define FLASH_B0F0 0x00000001
#define FLASH_B0F1 0x00000002
#define FLASH_B0F2 0x00000004
#define FLASH_B0F3 0x00000008
#define FLASH_B0F4 0x00000010
#define FLASH_B0F5 0x00000020
#define FLASH_B0F6 0x00000040
#define FLASH_B0F7 0x00000080
#define FLASH_B1F0 0x00010000
#define FLASH_B1F1 0x00020000
而文档中对B0F0 地址范围不是 0x00 0000 ~ 0x001FFF
B0F1 0x00 2000 ~ 0x003fff
…………………………
请问为何这样定义??????
STR710在ADS1.2的编译器大RAM调试程序与烧到内部FLASH的问题请教
STR710在ADS1.2的编译器在RAM调试程序运行都正确
但是代码
烧到内部FLASH后 从FLASH模式启动运行时一有外部中断就回跑飞(在RAM启动模式是这都正常)
请教各位高手
谢谢!
ADS烧写模块
我进去了,可是我没找到,都是文档啊!
在那个网页中是所有有关STR7的文档,包括ADS烧写模块
请用“ADS”搜索一下就可以找到,同时还有安装手册。
ADS烧写模块补丁
8楼的
兄台:
真实不好意思!
你有的话能传给我吗
谢谢!我有急用
flash.li
STR71xF Embedded Flash Programming with ARM Developer Suite (ADS)
https://bbs.eeworld.com.cn/upfiles/img/20075/2007522141028676.zip
https://bbs.eeworld.com.cn/upfiles/img/20075/2007522141054613.pdf
EMBEST防真器在ADS上的问题
谢谢 楼主,
您提供pdf资料里提到的是仿真器mutil-ice
我用的是embest仿真器
我试了一下
问题还是没有解决.
EMBEST防真器在ADS上的问题
各位高手指点一下
我现在遇如下的问题
STR710在ADS1.2的编译器在RAM调试程序运行都正确
但是代码 (我用的是embest仿真器)
烧到内部FLASH后 从FLASH模式启动运行时顺序执行的代码也都真确
但一有外部中断就回跑飞(在RAM启动模式是这都正常)
你们有碰到过类似的问题啊?
请教各位高手
谢谢!
中断向量是指向了RAM区
如果中断向量是指向了RAM区
怎么样才可以调整过来呢?
请赐教! 谢谢!
改成指向Flash区就好了,因为你的中断处理函数在Flash中
你是说FLASH起始地址,我是0x40000000
我是设置FLASH的起始地址 0x40000000
不设置FLASH的起始地址不可能代码下载成功的啊!
不是这个原因吧?
THANK YOU ALL SAME
flash烧录问题后中断问题
烧到内部FLASH后 从FLASH模式启动运行时顺序执行的代码也都正确
但一有外部中断就回跑飞 连IRQ中断都没进去(在RAM启动模式是这都正常)