ST72324有没有真flash的版本

                                 ST72324有没有真flash的版本,可读写10万次

                                 什么是真Flash？什么是假Flash？如何定义？

用户不必特别在意，EE工艺和Flash工艺。
实际上而言，EE的寿命高于Flash的，高一个数量级的。

                                 因为324中现在用的是HD-flash,只可以擦写100次，是不能用于做EEPROM功能来存储参数的，所以想问问是否有像其它单片机一样可擦写10万次的。

                                 HD-flash只可以擦写100次。

                                 香水城可以去做外交官了，呵呵

                                 不明白，做外交官？

看来确实很多人对Flash的认识有误区。
所谓Flash的10W次，是指的通常做memroy的Flash可以做10W次，EE的100W次也是同一个道理。
如果做为程序存储，做这么高重写次数，必然提高成本，意义不大。
另外所用的IC制程工艺，要考虑IC的各个部分，比如ADC/TIMER等。

就像PCB的线宽一样，没必要大家都要求4mil+4mil的线宽，本身也是一种浪费。
有做过IC Layout或者IC工艺的，对这些问题认识会更深刻一些。

LZ的意思很清楚，并没有“误区”，就是达到10W次就是“真”Flash，可以用来存信息。
而100次，就是“假”Flash，==OTP*100。TI的某些DSP芯片也是类似只有100次的。
此所谓量变产生质变。LZ倒是自创了个名词。不过这个名字当然会导致香版不爽，呵呵。ST堂堂大公司，居然被套个“假”字。
LZ的目的很清楚，就是要用MCU内部FLASH来存储“参数”，何来意义不大？

不知道HD-Flash的芯片面积比EEProm(XFlash)或标准的Flash(10W次)小多少？这个问题比较实在。
我猜测（纯属猜测）ST分HD-FLASH和XFlash，主要原因应该不是省面积，而是有的老芯片生产线只能生产HD-Flash，其产能也不能废了是吧。

真Flash？
呵呵，确实被LZ雷倒了 而对于经常改写的数据存储，应该用“真EEPROM”、或者真铁电、甚至RAM，而不建议用FLASH！

哈哈，俺当然不爽，倒不是为了一个"真"或"假"，只是因为楼主自创了个名词，还硬要让我往里钻。

关于HDFlash与XFlash的区别，我有一篇文档专门介绍这个问题，哪天找到了，我贴出来。

对于楼主的问题，2003年ST专门有一篇应用笔记，你可以去看看：AN1502 Emulated data EEPROM with ST7 HDFlash Memory

LZ这个名词确实雷人，呵呵。
偶发现同样的名词，在不同的人，其解释真是千差万别呀。
不过数据存储，只要经次数核算够用，大可以用MCU FLASH，即使100次，也不一定不够用，呵呵。
君不见各大厂家均有提供此类AppNote?
即使用LZ的“真”FLASH，也不一定所有数据都能存。
就是10亿次的铁电，都要省点用，呵呵。

“10W次的真Flash” “100W次的真EEPROM”
我也开始困惑了，如果照着这个逻辑，那俺前几天打样的单层板还叫不叫做PCB呢？
4层甚至8层板才叫做真PCB，双面板都是假PCB，更何况单层板乎？

其实HDFlash才是"真"Flash，而XFlash是"假"Flash(EEPROM模拟) ，下面截图是有关介绍的片段，如果你们感兴趣，明天我把整个介绍文档贴出来。

9楼的猜测也是错了，真实的情况与你的猜测恰恰相反，呵呵~~~~~

呵呵，还真有“真”“假”FLASH呀。
看来这HighDensity还真不是盖的，面积小4倍？

挖内幕的问题：为何STM8S全部采用E2prom工艺？

为何STM8S全部采用E2prom工艺？

因为工艺水平提高了，STM8S使用了0.13um的工艺，全部采用EEPROM可以进一步提高产品的性价比。